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IC命名方法

时间:2011-08-17


IC 命 名 方 法
AD ANALOG DEVCES 574 A I D ADM 691 A R AD 9850 B RS ① ② ③ ④ ⑤ ① ② ④ ⑤ ① ② ④ ⑤ ①功能/缩写:AD-缩写 ADG-模拟开关或多路转换器 ADM—接口或监控 OP-运算放大器 REF-电压基准 TMP-温度传感器 ②器件序号 ③混合信息:A—第二代产品 DI—电介质隔离 Z—±12V 工作电压 ④温度特性:I.J.K.L.M—0℃~+70℃ A.B.C—-40℃~85℃ S.T.V—-55℃~+125℃ ⑤封装:N-塑料 DIP Q-陶瓷 DIP D-铜焊陶瓷 DIP H-圆金属壳 R/RS-贴片封装 AD 公司标准及混合集成电路产品型号编码规则: DAC 123 X X ① ② ③ ④ ①产品功能和型号分类: ADC:模数转换器 AD AMP:仪表放大器 BUF:缓冲器(电压跟随) CMP:比较器 DAC:数模转换器 LIU:高速串行数据接收器 MAT:匹配传输器 MUX:多路转换器 OP:专用运算放大器 RKD:蜂值检测器 RM: 第二货源工业标准 REF:电压基准 RPT:RCM 线接收器 SWP:采样保持放大器 SW:模拟开关 SSM:音频产品 TMP;温度传感器 ②器件序号 ③老化测试:AD 大部分温度范围在 0℃~+70℃,-25℃~+85℃,-40℃~+85℃的产品经过老化,有时标记 的老测试。 ④封装类型: H 6 脚 TO-78 圆形金属封装 J 8 脚 TO-99 圆形金属封装 K 10 脚 TO-100 圆形金属封装 P 环氧树脂 DIP 封装 PC 塑料带引线芯片载体 Q 16 脚陶瓷 DIP 封装 R 20 脚陶瓷 DIP 封装 RC 20 脚 PLCC 封装 S 小尺寸封装 T 28 脚 PLCC 封装 T9 TO92 封装 V 24 脚陶瓷 DIP 封装 X 18 脚陶瓷 DIP 封装 Z 8 脚陶瓷 DIP 封装 * 可获得带 MIL-STD-883 产品 AD 公司专用产品型号编码规则: DAC 123 X X X ① ② ③ ④ ⑤ ①AD 为标准编码:其它如 ADG-模拟开关或多路转换器 ADSP-数字信号处理器 ADV-视频产品 VIDEO ADM-接口或监控及电源处理器 ADP-电源标准 ②器件序号 ③附加信息:A-第二代产品 DI-电介质隔离 Z-12V 工作电压 L-低电耗 ④温度范围: 0℃~+70℃ L、J、K、L、M 特性依次递增 M 性能最优 -25℃(-40℃)~+85℃ A、B、C 特性依次递增 C 性能最优 -55℃~+125℃ S、T、U 特性依次递增 U 性能最优 ⑤封装形式: BC 芯片级球形格栅阵列 BP 温度增强性球形格栅阵列 D 边或底铜焊陶瓷 CDIP E 陶瓷无引线芯载体 PLCC G 多层陶瓷 PGA H 圆金属壳封装 N 塑料/环氧树脂 DIP ND 塑料 DIP P 塑料带引线芯片载体 Q 陶瓷 DIP R 小外形封装(宽或窄 SOIC) RB 带散热片 SOIC RQ SOIC(宽 0.025 英寸) RS 紧缩型小尺寸(SSOP) RU 细小型 TSSOP V 表面安装带弯脚 VR 表面安装带弯脚 Y 单列直插封装 SIP

AT ATMEL

89

C

2051

—24

P

I

① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ①前缀:公司缩写 ②功能:24—串行 EEPROM 27—EPROM 28—并行 EEPROM 29—FLASH 存储器 89-单片机 90—8 位高性能 FLASH 单片机 F/LV/V—门阵列 ③功耗:C—低功耗(4.5V—5.5V) LV—低电压(2.7V—6.0V) ④器件序号 ⑤频率/速度:12—120ns 24—240ns 10—100ns ⑥封装:P—塑料 DIP D—陶瓷 DIP J—PLCC S—贴片 T--TSOP ⑦温度特性:C—0℃~+70℃ I—-25℃~+85℃2 INA 128 K P

BURR BROWN

① ② ③ ④ ①功能:ADS—A/D 转换 DAC—D/A 转换 INA—仪用放大器 ISO—隔离放大器 MPC —多路开关 OPA—功放 PGA—可编程运放 VFC—V/F 或 F/V 转换 XTR—V/I 变送器 ②器件序号 ③温度特性:H.J.K.L—0℃~+70℃ A.B.C—-25℃~+85℃ T.V—-55℃~+125℃ ④封装:P—塑料 G—陶瓷 D/P M—密封金属壳 V—贴片 DS 1225 Y — 150 ① ② ③ ④ ①前缀:公司缩写 ②器件序号 ③工作电压:AB—5V±5% AD—5V±10% Y—5V±10% ④速度:150—150ns ⑤温度特性:空—0℃~+70℃ IND—-40℃~+85℃ ICL 7107 C P L 82 C 54 A — 5

DALLAS

HARRIS

① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ①功能:ICL/ICM—线性或数据采集或时钟 DG—模拟开关 CD—逻辑电路 CA—运放 OR 视频 AD ②器件序号 ③温度特性:C—0℃~+70℃ I—-40℃~+85℃ M—-55℃~+125℃ ④封装:P—塑料 DIP K/D/F—陶瓷 DIP Q—PLCC T—圆金属壳 ⑤脚位数:A—8P Z—18P L—40P D—14P ⑥速度频率:80(微处理器)2-8MHZ 空-5MHZ 82(外围处理片)5-5MHZ 空-8MHZ

IDT IDT

7132

SA

55

P

IDT

7203

SA

50

TP

① ② ③ ④ ⑤ ① ② ③ ④ ⑤ ①前缀:公司缩写 ②器件序号 ③类型:SA/S—标准 LA/L—低比耗 ④速度:25—25ns ⑤封装:P—塑料 DIP TP—窄体塑料 DIP D—陶瓷 DIP J—PLCC Y—贴片 ⑥温度特征:空—0℃~+70℃ B/M—-55℃~+125℃

P INTEL

80C31

BH

Q

D

8279 — 5

② ③ ④ ① ② ③ ①温度范围:空—0℃~+70℃ I—-40℃~+85℃ N M—-55℃~+125℃(L—-40℃~+85℃扩展工作 温度,须 168 小时动态老化) (Q—-40℃~+85℃产出未经老化) ②封装:P—塑料 DIP D—陶瓷 DIP ③器件序号 ④器件版本代号 GAL 16 V 8 D — 25 L P

lattice

① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ①矩阵类型:GAL— 门阵列 ②矩阵输入数 ③输出类型代号 ④矩阵输出数 ⑤混合信息: A,B,D 逐渐改进 ⑥速度: 25—25 ns ⑦功耗: 空—标准功耗 L—半功耗 Q—1/4 功耗 ⑧封装: P—塑料 DIP D—塑料 DIP J—PLCC ⑨温度: 空—0℃~+70℃ I—-40℃~+85℃ M—-55℃~+125℃ MAX 186 C C P P MAX 232 C P E MAX 530 B C . ① ② ③ ④ ⑤ ① ③ ④ ⑤ ① ② ③ ①器件序号/功能:100—A/D 转换 200—232 接口 300—多路转换器 400—485 接口 500—DA/AD 转换 600/700/800—电源 or 监控 orDC-DC ②混合信息:A.B.C—改进 ③温度:C—0℃~+70℃ I—-20℃~+85℃ E—-40℃~+85℃ M—-55℃~+125℃ ④封装:P—塑料 DIP N—塑料窄体 DIP W—窄体贴片 SOJ S—窄体贴片 SOJ ⑤脚数:A—8 D—14 E—16 N—18 P—20 G—24 I—28 L—40 MC 145027 P MC 1403 U MC 14051 B C P N G ④ ⑤

MAXIM

① ② ④ ① ② ④ ① ② ③ ④ MOTOROLA①前缀:MC ②器件序号: 15**-军品 14051/14538 – 逻辑 CMOS 68 – 单片机 ③温度:空/C- 0℃~+70℃ I—-40℃~+85℃ U/L— -55℃~+125℃ ④封装:P-塑 DIP L-陶瓷 DIP U-陶瓷 DIP SN ① TI 75176 P TLC 2543 DW ② ③ ① ② ③ ①前缀:SN-标准 N/NE/MC/CF/SG/OP—仿制产品 TL—线性电路 TLC/TLV-A/D or D/A TCM—通信芯片 TMS—MOS 存储器、MOS 微处理器及相关电路 TIL—光耦 ②封装:P/N/NE—塑料 DIP J/JG—陶瓷 DIP D/DW— 贴片 FN—PLCC ③温度:空/C/L—0℃~+70℃ I— -25℃~+85℃ E— -40℃~+85℃ M— -55℃~+125℃

TI 产品命名规则 TLC 2272 C D ① ② ③ ④ ①前缀: A:先进电路 AC:先进的双机型电路 RSN:抗辐射电路 SBP:双极型微处理器 SN:标准电路 TAC:COMS 逻辑阵列 TAL:低功耗 TTL 逻辑阵列 TLC:线性 COMOS

TMS:MOS 存储器/微处理器 TIES:红外光源 OPA:运算放大器 ADC:模数转换器

DAC:数模转换器 ②器件编号 ③温度范围: Q:汽车级-40℃~+125℃ I:工业级-40℃~+85℃ C:商业级 0℃~+70℃ ④封装形式: P/N/NE/NW:塑料 DIP D/DW/RS/NS:塑料贴片 J:陶瓷 DIP DBV:SOT23 型 5 脚贴片

M:-55℃~+125℃ A:-40℃~+85℃ H:0℃~+55℃ FN:PLCC 封装 FR/PG/PX/PFB:QFP 封装 GA:陶瓷针插阵列封装 PT:塑料窄体四边平面封装

S:-55℃~+100℃ Z:-40℃~+150℃

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MAXIM 专有产品型号命名 专有产品型号命名

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MAX XXX (X) X X 1 2 3 4 1.前缀:MAXIM 公司产品代号 2.产品系列编号: 100-199 模数转换器 200-299 接口驱动器/接受器 300-399 模拟开关 模拟多路调制器 400-499 运放 500-599 数模转换器

X 5 6

600-699 电源产品 700-799 微处理器 800-899 微处理器 900-999 比较器

外围显示驱动器 监视器

3.指标等级或附带功能:A 表示 5%的输出精度,E 表示防静电 4 .温度范围: C= 0℃ 至 70℃(商业级) I =-20℃ 至 +85℃(工业级) E =-40℃ 至 +85℃(扩展工业级) A = -40℃至+85℃(航空级) M =-55℃ 至 +125℃(军品级) 5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 LLCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插 Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil) S 小外型封装 T TO5,TO-99,TO-100

U TSSOP,μMAX,SOT W 宽体小外型封装(300mil) X SC-70(3 脚,5 脚,6 脚) Y 窄体铜顶封装 Z TO-92MQUAD /D 裸片 /PR 增强型塑封 /W 晶圆 6.管脚数量: A:8 B:10,64 C:12,192 D:14 E:16 F:22,256 G:24 H:44 I:28 J:32 K:5,68 L:40 M:7,48 N:18 O:42 P:20 Q:2,100 R:3,84 S:4,80 T:6,160 U:60 V:8(圆形) W:10(圆形) X:36 Y:8(圆形) Z:10(圆形)
AD 常用产品型号命名

单块和混合集成电路

XX XX XX 1 2 1.前缀:AD 模拟器件,HA

X 3 混合集成 A/D,

X 4 HD

X 5 混合集成 D/A

2.器件型号 3.一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V 4.温度范围/性能(按参数性能提高排列): I、J、K、L、M 0℃至 70℃ A、B、C-25℃或-40℃至 85℃ S、T、U -55℃至 125℃ 5.封装形式: D 陶瓷或金属密封双列直插 R 微型“SQ”封装

E F G H J M N Q P

陶瓷无引线芯片载体 陶瓷扁平封装 陶瓷针阵列 密封金属管帽 J 形引线陶瓷封装 陶瓷金属盖板双列直插 料有引线芯片载体 陶瓷熔封双列直插 塑料或环氧树脂密封双列直插

RS 缩小的微型封装 S 塑料四面引线扁平封装 ST 薄型四面引线扁平封装 T TO-92 型封装 U 薄型微型封装 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 Y 单列直插 Z 陶瓷有引线芯片载体

高精度单块器件 XXX 1 XXXX 2 BI 3 E X 4 /883 5

6

1.器件分类: ADC A/D 转换器 AMP 设备放大器 BUF 缓冲器 CMP 比较器 DAC D/A 转换器 JAN Mil-M-38510 LIU 串行数据列接口单元 MAT 配对晶体管 MUX 多路调制器 2.器件型号 3.老化选择 4.电性等级 5.封装形式: H 6 腿 TO-78 J 8 腿 TO-99 K 10 腿 TO-100 P 环氧树脂 B 双列直插 PC 塑料有引线芯片载体 Q 16 腿陶瓷双列直插 R 20 腿陶瓷双列直插 RC 20 引出端无引线芯片载体 6.军品工艺
ALTERA 产品型号命名

OP 运算放大器 PKD 峰值监测器 PM PMI 二次电源产品 REF 电压比较器 RPT PCM 线重复器 SMP 取样/保持放大器 SW 模拟开关 SSM 声频产品 TMP 温度传感器

微型封装 T 28 腿陶瓷双列直插 TC 20 引出端无引线芯片载体 V 20 腿陶瓷双列直插 X 18 腿陶瓷双列直插 Y 14 腿陶瓷双列直插 Z 8 腿陶瓷双列直插

S

XXX XXX X X XX X 1 2 3 4 5 6 1.前缀: EP 典型器件 EPC 组成的 EPROM 器件 EPF FLEX 10K 或 FLFX 6000 系列、FLFX 8000 系列 EPM MAX5000 系列、MAX7000 系列、MAX9000 系列 EPX 快闪逻辑器件 2.器件型号 3.封装形式: D P 陶瓷双列直插 塑料双列直插 Q R 塑料四面引线扁平封装 功率四面引线扁平封装

塑料微型封装 T 薄型 J 形引线芯片载体 陶瓷 J 形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装 塑料 J 形引线芯片载体 B 球阵列 4.温度范围: C ℃至 70℃,I -40℃至 85℃,M -55℃至 125℃ 5.腿数 6.速度 ATMEL 产品型号命名 AT XX X XX XX X X X 1 2 3 4 5 6 1.前缀:ATMEL 公司产品代号 2.器件型号 3.速度 4. 封装形式: A TQFP 封装 P 塑料双列直插 B 陶瓷钎焊双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 C 陶瓷熔封 R 微型封装集成电路 D 陶瓷双列直插 S 微型封装集成电路 F 扁平封装 T 薄型微型封装集成电路 G 陶瓷双列直插,一次可编程 U 针阵列 J 塑料 J 形引线芯片载体 V 自动焊接封装 K 陶瓷 J 形引线芯片载体 W 芯片 L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封 M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块 N 无引线芯片载体,一次可编程 5.温度范围: C 0℃至 70℃,I -40℃至 85℃, M -55℃至 125℃ 6.工艺: 空白 标准 /883 Mil-Std-883, 完全符合 B 级 B Mil-Std-883,不符合 B 级
BB 产品型号命名

S J L

XXX 1 DAC 87

XXX 2 X

(X) 3 XXX 4 ADC ADS DAC DIV INA ISO MFC MPC

X 4 X 7

X 5

X 6 /883B 8 MPY 乘法器 OPA 运算放大器 PCM 音频和数字信号处理的 A/D 和 D/A 转换器 PGA 可编程控增益放大器 SHC 采样/保持电路 SDM 系统数据模块 VFC V/F、F/V 变换器 XTR 信号调理器

1. 前缀: A/D 转换器 有采样/保持的 A/D 转换器 D/A 转换器 除法器 仪用放大器 隔离放大器 多功能转换器 多路转换器

2. 器件型号 3. 一般说明: A 改进参数性能 Z + 12V 电源工作 4. 温度范围: L 锁定 HT 宽温度范围

H、J、K、L A、B、C R、S、T、V、W 5. 封装形式: L M N P 6. 筛选等级: Q 7. 输入编码:

0℃至 70℃ -25℃至 85 ℃ -55℃至 125℃

陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插 塑料芯片载体 U 微型封装 塑封双列直插 高可靠性 QM 高可靠性,军用 CBI 互补二进制输入 COB 互补余码补偿二进制输入 CSB 互补直接二进制输入 CTC 互补的两余码

8.输出: V 电压输出 I 电流输出
CYPRESS 产品型号命名

XXX

7 C XXX 1

XX 2

X 3

X 4

X 5 6

1.前缀: CY Cypress 公司产品, CYM 模块, VIC VME 总线 2.器件型号: 7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器 3.速度 A 塑料薄型四面引线扁平封装 B 塑料针阵列 D 陶瓷双列直插 F 扁平封装 G 针阵列 H 带窗口的密封无引线芯片载体 J 塑料有引线芯片载体 K 陶瓷熔封 L 无引线芯片载体 P 塑料 Q 带窗口的无引线芯片载体 R 带窗口的针阵列 S 微型封装 IC T 带窗口的陶瓷熔封 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 V J 形引线的微型封装 W 带窗口的陶瓷双列直插 X 芯片 Y 陶瓷无引线芯片载体 HD 密封双列直插 HV 密封垂直双列直插 PF 塑料扁平单列直插 PS 塑料单列直插 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 E 自动压焊卷 N 塑料四面引线扁平封装 5.温度范围: C 民用 (0℃至 70℃)

I 工业用 M 军用 6.工艺: B 高可靠性

(-40℃至 85℃) (-55℃至 125℃)

HITACHI 常用产品型号命名

XX 1

XXXXX

X 2

X 3 4

1. 前缀: HA 模拟电路 HD 数字电路 HM 存储器(RAM) HN 存储器(NVM) HG 专用集成电路 2. 器件型号 3. 改进类型 4. 封装形式 P 塑料双列 C 陶瓷双列直插 CP 塑料有引线芯片载体 FP 塑料扁平封装 SO 微型封装 NTERSIL 产品型号命名 XXX XXXX X 1 2 1. 前缀: PG 针阵列 S 缩小的塑料双列直插 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体 G 陶瓷熔封双列直插 HB 存储器模块 HL 光电器件(激光二极管/LED) HR 光电器件(光纤) PF RF 功率放大器

X 3

X 4

X 5

6

D 混合驱动器 ICL 线性电路 IH 混合/模拟门 AD 模拟器件 DGM 单片模拟开关 MM 高压开关

G 混合多路 FET ICM 钟表电路 IM 存储器 DG 模拟开关 ICH 混合电路 NE/SE SIC 产品

2. 器件型号 3. 电性能选择 4. 温度范围: A -55℃至 125℃, I -40℃至 125℃, 5. 封装形式: A TO-237 型 B 微型塑料扁平封装 C TO-220 型 D 陶瓷双列直插 E TO-8 微型封装 F 陶瓷扁平封装 H TO- 66 型 I 16 脚密封双列直插 J 陶瓷双列直插 K TO-3 型

B -20℃至 85℃, M -55℃至 125℃

C 0℃至 70℃

L 无引线陶瓷芯片载体 P 塑料双列直插 S TO-52 型 T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100 型 U TO-72、TO-18、TO-71 型 V TO-39 型 Z TO-92 型 /W 大圆片 /D 芯片 Q 2 引线金属管帽

6. 管脚数: A 8, B 10, C 12, D 14, E 16, F 22, G 24, H 42, I 28, J 32, K 35, L 40, M 48, N 18, P 20, Q 2, R 3, S 4, T 6, U 7, V 8(引线间距 0.2",绝缘外壳) W 10(引线间距 0.23",绝缘外壳) Y 8(引线间距 0.2",4 脚接外壳) Z 10(引线间距 0.23",5 脚接外壳)
NEC 常用产品型号命名

μP X XXXX X 1 2 3 4 1. 前缀 2. 产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路, C 双极模拟电路 D 单极型数字电路 3. 器件型号: 4. 封装形式: A 金属壳类似 TO-5 型封装 J 塑封类似 TO-92 型 B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体 C 塑封双列 V 立式的双列直插封装 D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插
MICROCHIP 产品型号命名

PIC 1 1. 2.

XX

XXX

XXX 2

(X)

-XX 3

X 4

/XX 5 6

前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号 器件型号(类型): C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率 CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率 CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速 CMOS FR FLEX ROM

3. 改进类型或选择 4. 速度标示: -55 55ns, -15 150ns, 晶体标示: 频率标示:

-70 70ns, -17 170ns,

-90 90ns, -20 200ns, RC 电阻电容, HS 高速晶体 -10 10MHZ, -33 33MHZ

-10 100ns, -25 250ns,

-12 120ns -30 300ns

LP 小功率晶体, XT 标准晶体/振荡器 -20 2MHZ, -04 4MHZ, -20 20MHZ, -25 25MHZ, 空白 0℃至 70℃,

-16 16MHZ

5.温度范围: 6. 封装形式:

I -45℃至 85℃,

E -40℃至 125℃

L PLCC 封装 P 塑料双列直插 W 大圆片 JN 陶瓷熔封双列直插,无窗口 SN 8 腿微型封装-150 mil SO 微型封装-300 mil

JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口 PQ 塑料四面引线扁平封装 SL 14 腿微型封装-150mil SM 8 腿微型封装-207mil VS 超微型封装 8mm×13.4mm ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm

SP 横向缩小型塑料双列直插 SS 缩小型微型封装 TS 薄型微型封装 8mm×20mm
ST 产品型号命名

CL 68 腿陶瓷四面引线,带窗口 PT 薄型四面引线扁平封装 TQ 薄型四面引线扁平封装

普通线性、逻辑器件 MXXX XXXXX 1 2 1. 产品系列:

XX

X 3

X 4 5

74AC/ACT……先进 CMOS M74HC………高速 CMOS

HCF4XXX

2. 序列号 3.速度 4.封装: 5.温度
普通存贮器件

BIR,BEY……陶瓷双列直插 M,MIR………塑料微型封装

XX 1

X 2

XXXX 3

X 4

XX 5

X 6

XX 7

1.系列: ET21 静态 RAM ETC27 EPROM MK45 双极端口 FIFO TS27 EPROM TS29 EEPROM 2.技术: 3.序列号 4.封装: 5.速度 6.温度: 空白…NMOS C 陶瓷双列 N 塑料双列 C…CMOS ETL21 静态 RAM MK41 快静态 RAM MK48 静态 RAM S28 EEPROM

L…小功率

J 陶瓷双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插 E -25℃~70℃ M -55℃~125℃ B/B MIL-STD-883B B 级

空白 0℃~70℃ V -40℃~85℃ 7.质量等级: 空白 标准

存储器编号( OTP) 存储器编号(U.V EPROM 和一次可编程 OTP)

M

XX

X

XXX 1

X 2

X

XXX 3

X 4

X 5

6

7

8

1. 系列: 27…EPROM 2. 类型: 空白…NMOS, 2. 容量: 64…64K 位(X8) 256…256K 位(X8) C…CMOS, V…小功率 87…EPROM 锁存

512…512K 位(X8) 101…1M 位(X8)低电压 2001…2M 位(X8) 4001…4M 位(X8) 4002…4M 位(X16) 161…16M 位(X8/16)可选择 4. 改进等级 5. 电压范围: 空白 5V +10%Vcc, 6. 速度: 55 55n, 60 60ns, 90 90ns, 100/10 100 n 120/12 120 ns, 200/20 200 ns, 7. 封装: F 陶瓷双列直插(窗口) B 塑料双列直插 M 塑料微型封装 K 塑料有引线芯片载体(低电压) 8.温度: 1 0℃~70℃,
快闪 EPROM 的编号

1001…1M 位(X8) 1024…1M 位(X8) 201…2M 位(X8)低电压 401…4M 位(X8)低电压 801…4M 位(X8) 160…16M 位(X8/16)

X 5V +10%Vcc 70 70ns, 150/15 150 ns 250/25 250 ns L 无引线芯片载体(窗口) C 塑料有引线芯片载体(标准) N 薄型微型封装 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃ 80 80ns

M 8 1. 2. 3. 4. 2 5. 6. 7. 8. 9 10

XX

X

A

B 1

C

X 2

X 3

XXX 4

X

X 5 6 7

电源 类型: F 5V +10%, V 3.3V +0.3V 容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M, 8M, 擦除: 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 底部启动逻辑块 4 扇区 结构: 0 ×8/×16 可选择, 1 仅×8, 改型: 空白 A Vcc: 空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc 速度: 60 60ns, 70 70ns, 80 80ns, 90 90ns 100 100ns, 120 120ns, 150 150ns, 200 200ns 9. 封装: M 塑料微型封装 N 薄型微型封装,双列直插 C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插 10.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃
EPROM 仅为 3V 和仅为 5V 的快闪 EPROM 编号

16 16M

2 仅×16

M

XX

X

XXX

X 1

XXX 2

X 3

X 4 5 6 7

1.器件系列: 29 快闪 2.类型: F 5V 单电源 V 3.3 单电源 3.容量: 100T (128K×8.64K×16)顶部块, 200T (256K×8.64K×16)顶部块,

100B (128K×8.64K×16)底部块 200B (256K×8.64K×16)底部块

4.Vcc: 5.速度: 6.封装: 7.温度:

400T (512K×8.64K×16)顶部块, 040 (12K×8)扇区, 016 (2M×8)扇区 空白 5V+10%Vcc, 60 60ns, 90 90ns, M 塑料微型封装 K 塑料有引线芯片载体 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃,

400B (512K×8.64K×16)底部块 080 (1M×8)扇区 X +5%Vcc 70 70ns, 80 80ns 120 120ns N 薄型微型封装 P 塑料双列直插 3 -40℃~125℃

串行 EEPROM 的编号

ST 5 6

XX

XX

XX

X

X

X 1 2 3 4

1.器件系列: 24 12C , 95 SPI 总线 2.类型/工艺: C CMOS(EEPROM) W 写保护士 P SPI 总线 01 1K, 02 2K, 04 4K, 16 16K, 32 32K, 64 64K 空白 A、 B、 C、 D B 8 腿塑料双列直插 ML 14 腿塑料微型封装 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ E 扩展 I C 总线 CS 写保护(微导线) LV 低电压(EEPROM) 08 8K 25 12C(低电压), 28 EEPROM 93 微导线

3.容量: 4.改型: 5.封装: 6.温度:

M 8 腿塑料微型封装 3 -40℃~125℃

微控制器编号

ST 1

XX 2

X 3

XX 4

X

X 5

6

1.前缀 2.系列: 62 72 92 20 3.版本: 空白 ROM R ROMless E EPROM 4.序列号 5.封装: B 塑料双列直插 F 熔封双列直插 S 陶瓷微型封装 K 无引线芯片载体 QX 塑料四面引线扁平封装 R 陶瓷什阵列 D 陶瓷双列真插 M 塑料微型封装 CJ 塑料有引线芯片载体 L 陶瓷有引线芯片载体 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列 T 薄型四面引线扁平封装 T OTP(PROM) P 盖板上有引线孔 F 快闪 普通 ST6 系列 ST7 系列 专用 ST9 系列 ST20 32 位系列 63 专用视频 ST6 系列 90 普通 ST9 系列 10 ST10 位系列

6.温度范围: 1.5 0℃~70℃(民用) 61 -40℃~85℃(工业)
XICOR 产品型号命名

2 -40℃~125℃(汽车工业) E -55℃~125℃

X 1

XXXXX 2

X

X 3

X 4

(-XX) 5 EEPOT X

6 XXXX X X X 1 2 7 3 4

串行快闪 X

XX X XXX 1

X

X 2

-X 3 4 8

1. 前缀 2. 器件型号 3. 封装形式:D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 E 无引线芯片载体 R 陶瓷微型封装 F 扁平封装 S 微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 L 薄型四面引线扁平封装 X 模块 M 公制微型封装 Y 新型卡式 4. 温度范围: 空白 标准, B B 级(MIL-STD-883), E -20℃至 85℃ I -40℃至 85℃, M -55℃至 125℃ 5.工艺等级: 空白 标准, B B 级(MIL-STD-883) 6.存取时间(仅限 EEPROM 和 NOVRAM): 20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns 55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150ns Vcc 限制(仅限串行 EEPROM): 空白 4.5V 至 5.5V, -3 3V 至 5.5V -2.7 2.7V 至 5.5V, -1.8 1.8V 至 5.5V 7. 端到末端电阻: Z 1KΩ, Y 2KΩ, W 10KΩ, U 50KΩ, T 100KΩ 8. Vcc 限制: 空白 1.8V 至 3.6V, -5 4.5V 至 5.5V
ZILOG 产品型号命名

Z 1

XXXXX 2

XX

X 3

X 4

X 5

XXXX 6

7

1. 前缀 2. 器件型号 3. 速度: 4. 封装形式:

空白 2.5MHz, H 8.0MHz, A 极小型四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 F 塑料四面引线扁平封装

A 4.0MHz, L 低功耗的, 直接用数字标示

B 6.0MHz

C 陶瓷钎焊 E 陶瓷,带窗口 G 陶瓷针阵列

缩小型微型封装 I 陶瓷双列直插,带窗口 L 塑料双列直插 Q 微型封装 V 5.温度范围: E -40℃至 100℃, M -55℃至 125℃, S 0℃至 70 ℃ 6.环境试验过程: A 应力密封, B 军品级, C 塑料标准, D 应力塑料, 7.特殊选择

H K P S

PCB 芯片载体 陶瓷无引线芯片载体 陶瓷四列 塑料有引线芯片载体

E 密封标准

http://lqdk.blog.sohu.com/48976785.html 该网站查找 IC 命名方法
器件型号举例说明 ( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美)) AM 29L509 P C B AMD 首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类 "L":低功耗; D:铜焊双列直插 C:商用温度, 没有标志的 "S":肖特基; (多层陶瓷) (0-70)℃或 为标准加工 ; "LS":低功耗肖特基; L:无引线芯片载体: (0-75)℃; 产品,标有 21:MOS 存储器; P:塑料双列直插; M:军用温度, "B"的为已 25:中规范(MSI) E:扁平封装(陶瓷扁平) (-55-125)℃; 老化产品。 ; ; 26:计算机接口; X:管芯; H:商用, 27:双极存储器或 EPROM ; A:塑料球栅阵列; (0-110)℃; 28:MOS 存储器理; B:塑料芯片载体 I:工业用, 29:双极微处理器; C、D:密封双列; (-40~85 )℃; 54/74:同 25; E:薄的小引线封装; N:工业用, 60、61、66:模拟,双极; G:陶瓷针栅陈列; (-25~85)℃; 79:电信; Z、Y、U、K、H:塑料 K:特殊军用, 80:MOS 微处理器; 四面引线扁平; (-30~125)℃; 81、82:MOS 和双极处围电路; J:塑料芯片载体(PLCC) L:限制军用, ; 90:MOS; L:陶瓷芯片载体(LCC) (-55-85)℃< ; 91:MOS RAM: V、M:薄的四面 125℃。 92:MOS; 引线扁平; 93:双极逻辑存储器 P、R:塑料双列; 94:MOS; S:塑料小引线封装; 95:MOS 外围电路; W:晶片; 1004:ECL 存储器; 也用别的厂家的符号: 104:ECL 存储器; P:塑料双列; PAL:可编程逻辑陈列; NS、N:塑料双列; 98:EEPROM; JS、J:密封双列; 99:CMOS 存储器。 W:扁平; R:陶瓷芯片载体; A:陶瓷针栅陈列; NG:塑料四面引线扁平; Q、QS:陶瓷双列。 器件型号举例说明( 缩写字符:ANA 译名:模拟器件公司(美)) AD 644 A S H /883B ANA 首标 器件 附加说明 温度范围 封装形式 筛选水平 AD:模拟器件 编号 A:第二代产品; I、J、K、L、M: D:陶瓷或金属气 MIL-STDHA:混合 DI:介质隔离产 (0-70)℃; 密双列封装 883B 级。

A/D; 品; A、B、C: (多层陶瓷) ; HD:混合 Z:工作在+12V (-25-85)℃; E:芯片载体; D/A。 的产品。 (E:ECL) S、T、U: F:陶瓷扁平; (-55-125)℃。 G:PGA 封装 (针栅阵列) ; H:金属圆壳气 密封装; M:金属壳双列 密封计算机部件; N:塑料双列直插; Q:陶瓷浸渍双列 (黑陶瓷) ; CHIPS:单片的芯片。 同时采用其它厂家编号出厂产品。 通用器件型号举例说明(缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美)) ADC 803 X X X X 首标 器件编号 通用资料 温度范围 封装 筛选水平 A::改进参数性能; J、K、L: M:铜焊的金属壳封装; Q:高可 L:自销型; (0-70)℃; L:陶瓷芯片载体; 靠产品; Z:+ 12V 电源工作; A、B、C: N:塑料芯片载体; /QM: HT:宽温度范围。 (-25-85)℃; P:塑封(双列) MIL ; R、S、T、V: H:铜焊的陶瓷封装 STD (-55-125)℃。 (双列) 883 产品。 ; G:普通陶瓷(双列) ; U:小引线封装。 模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美)) - -- X X X 首标 器件编号 温度范围 封装 筛选水平 H、J、K、L: M:铜焊金属壳封装; Q:高可靠产品; (0-70)℃; P:塑封; /QM:MIL-STDA、B、C: (-25-85)℃; G:陶瓷。 883 产品。 R、S、T、V: (-55-125)℃。 军用器件产品型号举例说明(放大器/多路转换器/ADC/VFC) OPA 105 X M /XXX 首标 器件编号 温度范围 封装 高可靠性等级 V: (-55-125)℃; M:金属的; MIL-STD-883B。 U: (-25-85)℃; L:芯片载体。 W: (-55-125)℃。 DAC 的型号举例说明 DAC 87 X XXX X /XXX 首标 器件编号 温度范围 输入代码 输出 MIL-STD-883B 表示 V:(-55-125)℃; CBI:互补二进制 V:电压输出; U: (-25-85)℃。 输入; I:电流输出。 COB:互补余码补偿 二进制输入; CSB:互补直接二进制 输入; CTC:互补的两余码 输入。

首标的意义: 放大器 转换器 ADC:A/D 转换器; OPA:运算放大器; ADS:有采样/保持的 A/D 转换器; INA:仪用放大器; DAC:D/A 转换器; PGA:可编程控增益放大器; MPC:多路转换器; ISO:隔离放大器。 PCM:音频和数字信号处理的 A/D 和 D/A 转换器。 模拟函数 MFC:多功能转换器; SDM:系统数据模块; MPY:乘法器; SHC:采样/保持电路。 DIV:除法器; LOG:对数放大器。 混杂电路 PWS:电源(DC/DC 转换器) ; PWR:电源(同上) ; 频率产品 VFC:电压-频率转换器; REF:基准电压源; UAF:通用有源滤波器。 XTR:发射机; RCV:接收机。

器件型号举例说明( 缩写字符:CYSC 译名:丝柏(CYPRESS)半导体有限公司 ) CY 7C128 -45 C M B 首标 系列及 速度 封装 温度范围 加工 器件编号 B:塑料针栅阵列; C: (0-70)℃; B:高可靠。 D:陶瓷双列; L: (-40-85)℃ ; F:扁平; M: (-55-125)℃。 G:针栅阵列(PGA) ; H:密封的 LCC(芯片载体) ; J:PLCC(密封芯片载体) ; K:CERPAK; L:LCC; P:塑封; Q:LCC; R:PGA ; S:小引线封装(SOIC) ; T:CERPAK; V:SOJ ; W:CERDIP(陶瓷双列) ; X:小方块(dice) ; HD:密封双列; HV:密封直立双列; PF:塑料扁平单列(SIP) ; PS:塑料单列(SIP) ; PZ:塑料 ZIP。 缩写字符:FSC 译名:仙童公司(美) ?A 741 T C FSC 首标 器件 封装形式 温度范围 F:仙童(快捷)电路 编号 D:密封陶瓷双列封装 C:商用温度(0-70/75)℃; SH:混合电路; (多层陶瓷双列) [CMOS: ; (-40-85)℃] ?A:线性电路。 E:塑料圆壳; M:军用温度(-55-125) F:密封扁平封装(陶瓷扁平) L:MOS 电路(-55-85)℃; ; H:金属圆壳封装; 混合电路(-20-85)℃;

J:铜焊双列封装(TO-66) V:工业用温度(-20-85)℃, ; K:金属功率封装(TO-3) (-40-85)℃ 。 (金属菱形) ; P:塑料双列直插封装; R:密封陶瓷 8 线双列封装; S:混合电路金属封装(陶瓷 双列,F6800 系列) ; T:塑料 8 线双列直插封装; U:塑料功率封装(TO-220) ; U1:塑料功率封装; W:塑封(TO-92) ; SP:细长的塑料双列; SD:细长的陶瓷双列; L:陶瓷芯片载体; Q:塑料芯片载体; S:小引线封装(SOIC) 。

器件型号举例说明 缩写字符:HAS 译名:哈里斯公司(美) H M 1 6508 B 2 HAS 系列 封装 器件 种类/产品 温度范围 音标 A:模拟电路; 0:芯片 编号 等级种类: 1:(-55-200)℃; C:通信电路; 1:陶瓷双列; COMS: 2:(-55-125) ℃; D:数字电路; 1B:铜焊的陶瓷双列; A:10V 类; 4:(-25-85)℃; F:滤波器; 2:金属圆壳(TO-5); B:高速-低功耗; 5: (0-75)℃; I:接口电路; 3:环氧树脂双列; D:商用的; 没标 6:100%25℃抽测 M:存储器; 4:芯片载体; 的为一般产品。 (小批) ; V:高压模拟电路; 4P:塑料芯片载体; 双极: 7:表示"5"温度范围 PL:可编程逻辑; 5:LCC 混合电路 A:再设计,双金属的 的高可靠产品; Y:多片组合电路。 (陶瓷衬底); P:有功率降额选择的; 8:MIL-STD-883B 产品; 7:小型陶瓷双列; R:锁定输出的; 9: (-40-85)℃; 9:扁平封装。 RP:有功率降额限 9+: (-40-85)℃, 制的锁定输出 已老化产品; 没标的为一般产品. RH:抗辐射产品。 产品等级: A:高速; B:甚高速; 没标的为一般速度. 部分器件编号: 0×××:二极管矩阵; 61××:微处理器; 63××:CMOS ROM; 64××:CMOS 接口; 65××:CMOS RAM; 66××;CMOS PROM; 67××:COMS EPROM; 76××;双极 PROM; 77××:可编程逻辑。 80C86 系列型号举例说明 M D 82C59A S /B 温度 封装 器件 速度(MHz) 高可靠产品

C:商用(0-70)℃; P:塑封; 编号 外围电路: B:已老化,8 次冲击的 I:工业用(-40-85)℃; D:陶瓷双列; 5:5MHz; +:已老化, M:军用(-55-125)℃; X:芯片; 空白:8MHz; 工业温度等级; X:25℃ 。 R:芯片载体(陶瓷) CPU 电路: /883: ; (-55-125)℃; S :塑料芯片载体。 空白:5MHz; MIL-STD-883 产品。 2:8MHz。 微波电路产品的通用符号系列: 系列: 封装: A:放大器(GaAsFET) 1:32 线金属密封扁平封装; ; D:数字电路(GaAs) 2:16 线金属密封扁平封装; ; F:FET(GaAs); 3:48 线金属密封扁平封装 M:单片微波集成电路; P:高功率 FET(GaAs) ; R:模拟电路(GaAs) ; 同时生产其它厂家相同型号的产品。

电路系列缩写符号

缩写字符:INL 译名:英特希尔公司(美) 器件型号举例说明 ICL 8038 C C P D 器件系列 器件编号 电 温度范围 封装 外引线数符号 D:混合驱动器; 存储器件 特 (除 D、DG、G 外) A:TO-237; A:8; G:混合多路 FET; 命名法 性 M: (-55~125)℃ B:塑料扁平封装 B:10; ICL:线性电路; 首位数表示: I: (-20~85)℃; C:TO-220; C:12; ICM:钟表电路; 6:CMOS 工艺; C: (0~70)℃ 。 D:陶瓷双列; D:14; IH:混合/模拟门; 7:MOS 工艺; D、DG、G 的温度 E:小型 TO-8; E:16; IM:存储器; 第二位数表示: 范围: F:陶瓷扁平封装 F:22; AD:模拟器件; 1:处理单元; A: (-55~125)℃ H:TO~66;I:16 G:24; DG:模拟开关; 3:ROM; B: (-20~85)℃; 线(跨距为 0.6"X0.7") H:42; DGM:单片模拟开关; 4:接口单元; C: (0~70)℃。 密封混合双列; I:28; ICH:混合电路; 5:RAM; J:陶瓷浸渍双列 J:32; LH:混合 IC; 6:PROM; (黑瓷) K;35; ; LM:线性 IC; 第三、四位数表 K:TO-3; L:40; MM:高压开关; 示: L:无引线陶瓷载体; M:48; NE:SIC 产品; 芯片型号。 P:塑料双列; N:18; SE: SIC 产品。 S:TO-52; P:20; T:TO-5(亦是 Q:2; TO-78,TO-99 R:3; TO-100) S:4; U:TO-72(亦是 T:6; TO-18,TO-71) U:7; V:TO-39; V:8(引线径 0.2") ; Z:TO-92; W:10(引线径 0.23")

/W:大圆片; Y:8(引线径 /D:芯片。 0.2",4 端与壳接); z:10(引线径 0.23", 5 端与壳接) 。 该公司已并入 HAS 公司。 缩写字符:MOTA 译名:摩托罗拉公司(美) 器件型号举例说明 MC 1458 P 首标 器件编号 封装 MC:有封装的 IC; 1500~1599; L:陶瓷双列直插(14 或 16 线) ; MCC:IC 芯片; (-55~125)℃军用线性 U:陶瓷封装; MFC:低价塑封功能电路; 电路; G:金属壳 TO-5 型; MCBC:梁式引线的 IC 芯片; 1400~1499、3400~3499: R:金属功率型封装 TO-66 型; MCB:扁平封装的梁式引线 IC; (0~70)℃线性电路; K:金属功率型 TO-3 封装; MCCF:倒装的线性电路; 1300~1399、3300~3399: F:陶瓷扁平封装; MLM:与 NSC 线性电路 消费工业线性电路。 T:塑封 TO-220 型; 引线一致的电路; P:塑封双列; MCH:密封的混合电路; P1:8 线性塑封双列直插; MHP:塑封的混合电路; P2:14 线塑料封双列直插; MCM:集成存储器; PQ:参差引线塑封双列 MMS:存储器系统。 (仅消费类器件)封装; SOIC:小引线双列封装。 与封装标志一起的尚有: C:表示温度或性能的符号; A:表示改进型的符号。

缩写符号:MPS 译名:微功耗系统公司(美) 器件型号举例说明 MP 4136 C Y MPS 器件编号 分档和温度范围 D:陶瓷及陶瓷浸渍双列; R:SOIC(8 线) 首标 (用文字和 J、K、L:商用/工业用 N:塑封双列及 TO-92; S:SOIC; 数字表示) 温度; Y:14 线陶瓷双列; L:LCC; S、T、U:军用温度。 Z:8 线陶瓷双列; G:PGA; J:TO-99 封装; Q:QFP; T:TO-52 封装; CHIP:芯片或小片。 P:8 线塑封双列及 PLCC; K、H、M:TO-100 型封装。 同时生产其它厂家相同型号的产品。 缩写字符:NECJ 译名:日本电气公司(日) NECE 日本电气公司美国电子公司(美) 器件型号举例说明 ?P D 7220 D NEC 首标 系列 器件编号 封装 A:混合元件; A:金属壳类似 TO-5 型封装;

B:双极数字电路; B:陶瓷扁平封装; C:双极模拟电路; C:塑封双列; D:单极型数字电路 D:陶瓷双列; (MOS) G:塑封扁平; 。 H:塑封单列直插; J:塑封类似 TO-92 型; M:芯片载体; 0 V:立式的双列直插封装; L:塑料芯片载体; K:陶瓷芯片载体; E:陶瓷背的双列直插。

缩写字符:NSC 译名:国家半导体公司(美)

器件型号举例说明 LM 101A F 系列 器件编号 封装 AD:模拟对数字; (用 3、4 或 5 位数字符号表示) D:玻璃/金属双列直插; AH:模拟混合; A:表示改进规范的; F:玻璃/金属扁平; AM:模拟单片; C:表示商业用的温度范围。 H:TO-5(TO~99,TO-100,TO-46) ; CD:CMOS 数字; 其中线性电路的 1-、2-、3- J:低温玻璃双列直插(黑陶瓷) ; DA:数字对模拟; 表示三种温度,分别为: K:TO-3(钢的) ; DM:数字单片; (-55~125)℃ KC:TO-3(铝的) ; LF:线性 FET; (-25~85)℃ N:塑封双列直插; LH:线性混合; (0~70)℃。 P:TO-202(D-40,耐热的) ; LM:线性单片; S:"SGS"型功率双列直插; LP:线性低功耗; T:TO-220 型; LMC:CMOS 线性; W:低温玻璃扁平封装(黑瓷扁平) ; LX:传感器; Z:TO-92 型; MM:MOS 单片; E:陶瓷芯片载体; TBA:线性单片; Q:塑料芯片载体; NMC:MOS 存储器。 M:小引线封装; L:陶瓷芯片载体。 该公司同时生产其它厂家相同型号的产品。 缩写字符:PHIN 译名:菲利浦公司(荷兰) 器件型号举例说明 MA B 8400 -A -DP 系列 温度范围 器件 表示两层意义 封装 (用两位符号表示) A:没规定范围 编号 第一层表示改进型; (用两位符号表示) 1.数字电路用两 B: (0~70) 第二层表示封装; 第一位表示封装形式: 符号区别系列。 C: (-55~125) C:圆壳; C:圆壳封装; 2 .单片电路用两 D: (-25~70) D:陶瓷双列; D:双列直插; 符号表示。 E: (-25~85) F:扁平封装; E:功率双列(带散热片) ; 第一符号: F: (-40~85) P:塑料双列; F:扁平(两边引线) ; S:数字电路; G: (-55~85) Q:四列封装; G:扁平(四边引线) ; T:模拟电路; 如果器件是在别 U:芯片。 K:菱形(TO-3 系列) ; U:模拟/数字混合电路。 的温度范围,可 M:多列引线(双、三、四 第二符号: 不标,亦可标"A" 列除外) ;

除"H"表示混合电路 Q:四列直插; 外,其它无规定; R:功率四列(外散热片) ; 3.微机电路用两位符号 S:单列直插; 表示。 T:三列直插。 MA:微计算机和 CPU; 第二位表示封装材料: MB:位片式处理器; C:金属-陶瓷; MD:存储器有关电路; G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍) ; ME:其它有关电路(接 M:金属; 口,时钟,外围控 P:塑料。 制,传感器等) (半字符以防与前符号混淆) 。 该公司同时生产与其它厂家相同型号的产品。

缩写字符:PMI 译名:精密单片公司(美) 器件型号举例说明 DAC 08 E X 器件系列 器件 电特性等级 封装 ADC:A/D 转换器; 编号 H:6 线圆壳 TO-78; AMP:测量放大器; J:8 线圆壳 TO-99; BUF: 缓冲器(电压跟随器) K:10 线圆壳 TO-100; ; CMP:电压比较器; P:环氧树脂双列直插; DAC:D/A 转换器; Q:16 线陶瓷双列; DMX:信号分离器; R:20 线陶瓷双列; FLT:滤波器; RC:20 线芯片载体; GAP:通用模拟信息处理器; T:28 线陶瓷双列; JAN:M38510 产品; TC:28 线芯片载体; MAT:对管; V:24 线陶瓷双列; MLT:乘法器; X:18 线陶瓷双列; MUX:多路转换器; Y:14 线陶瓷双列; OP:精密运算放大器; Z:8 线陶瓷双列; PKD:峰值检波器; W:40 线陶瓷双列; PM:仿制的工业规范产品; L:10 线密封扁平; REF:电压基准; M:14 线密封扁平; RPT:PCM 线转发器; N:24 线密封扁平。 SMP:采样/保持放大器; SLC:用户线接口电路; SW:模拟开关; SSS:优良的仿制提高规范产品。 该公司并入 ANA 公司。 缩写字符:PRSC 译名:特性半导体有限公司 器件型号举例说明 P 74 FCT XXX X X 首标 温度 产品系列 器件 封装 温度范围 P:performance; 74: (0-70)℃; 编号 P:塑料双列; C: (0-70)℃; P4C:静态存储器; 54: (-55~125) J:J 型小引线塑料 M: (-55~125)℃; 9:适于特殊 SRAM。 ℃。 双列(SOJ) MB:883C 的 B 级。 ; D:陶瓷双列; C:侧面铜焊双列; L:芯片载体;

S:小引线塑料双 列(SOIC) ; DW:600mil 陶瓷 双列。

缩写符号:QSI 译名:高级半导体公司

器件型号举例说明 QS 8XXX XXX XX X 首标 器件编号 速度 封装 加工 8XXX:SRAM; (存取时间) P:塑料双列; 没标:标准工业用 7XXX:FIFO。 D:陶瓷双列; (0-70)℃; L:陶瓷芯片载体; B:883 的 SO:小引线封装双列; (-55~125)℃; Z:塑料单列(双线)(ZIP); M:工业用 Q:四面引线封装(QSOP); (-55~125)℃。 V:(SOJ)J 型小引线双列。 QS XX FCT XX XX X 首标 温度 系列 器件 封装 加工 54: (-55~ FCT:快 编号 P:塑料双列; 没标:标准工业用 125)℃; 捷 CMOS; D:陶瓷双列; (0~70)℃; 74: (0~70)℃。 QST:快 L:陶瓷芯片载体; B:883 的 速开关。 SO:小引线双列封装; (-55~125)℃; Z:塑料 ZIP; M:工业用 Q:QSOP。 (-55~125)℃。

缩写字符:ZIL 译名:吉劳格公司(美)

器件型号举例说明 Z 8400 B P S 首标 器件编号 速度 封装 温度范围 空白: C:陶瓷; E: (-40~85)℃; 2.5MHz; D:陶瓷浸渍; M: (-55~125)℃ A:4..0MHz; P:塑料; S: (0~70)℃。 B:6.0MHz; Q:陶瓷四列; H:8.0MHz; R:陶瓷背的。 L:低功耗的。 缩写字符:RCA 译名:美国无线电公司(现为 GE-RCA 公司) 器件型号举例说明 CD 4070A D 类型 器件编号 封装 CA:线性电路; A:改型,代替原型; D:陶瓷双列(多层陶瓷) ; CD:CMOS 数字电路; B:改型,代替 A 或 E:塑料双列; COM:CMOS LSI; 原型; EM:变形的塑料双列(有散热板) ; COP:CMOS LSI; C:改型; F:陶瓷双列,烧接密封;

CMM:CMOS LSI; UB:不带缓冲。 H:芯片; MWS:CMOS LSI; J:三层陶瓷芯片载体; LM:线性电路; K:陶瓷扁平封装; PA:门阵。 L:单层陶瓷芯片载体; M:TO-220 封装(有散热板) ; P:有散热板的塑料双列封装; Q:四列塑料封装; QM:变形的四列封装 S:TO-5 封装(双列型) ; T:TO-5 封装(标准型) ; V1:TO-5 封装(射线型引线) ; W:参差四列塑料封装。 该公司并入 Harris 公司。

缩写符号:SGL 译名:硅通用公司(美) 器件型号举例说明 SG 108 A T SGL 器件编号 说明 封装 首标 A:改进性能; F:扁平封装; C:缩小温度范围。 J:陶瓷双列(14、16、18 线) ; K:菱形 TO-3; L:芯片载体; M:8 线小型塑料双列; N:塑料双列(14、16 线) ; P:TO-220 封装; R:TO-66(2 线、9 线金属壳) ; T:TO-型(5、39、96、99、100、101 型) ; W:16 线带散热片的陶瓷双列; Y:8 线陶瓷双列; S:大于 15W 的功率封装。 缩写字符:SGSI 译名:意大利国家半导体公司 器件型号举例说明(采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON 的符号) TDA 1200 XX (X/X) 首标 器件编号 封装及封装材料 质量等级 首位字母表示: 封装: T:模拟电路; 单字母表示: U:模拟/数字混合电路; C:圆壳; 第二位字母表示: D:双列直插; 没规定含义。 E:功率双列; 双字母表示: F:扁平封装。 FA~FZ、 两字母表示: GA~GZ:数字电路,系列有别。 首位(表示封装) : 单字母表示: C:圆壳; S:单片数字电路。 D:双列直插; 另外的首标含义: E:功率双列(带散热板) ; H:高电平逻辑; F:扁平封装; HB、HC:CMOSIC; G:四边引线扁平封装;

L、LS:线性电路; K:菱形(TO-3 型) ; M:MOS 电路; M:多列直插; TAA、TBA、TCA、TDA: Q:四列直插; 线性控制电路。 R:功率四列(带散热板) ; 第二位字母表示温度范围: S:单列直插; A:没规定范围,或非下列温度范围; T:三列直插。 B: (0~70)℃; 第二位(表示封装材料) ; C: (-55~125)℃; C:金属-陶瓷; D: (-25~70)℃; G:玻璃-陶瓷(双列) ; E: (-25~85)℃; M:金属; F: (-40~85)℃; P:塑料。 G: (-55~85)℃。 该公司与法国 THOMSON 公司联合组成 SGS-THOMSON 公司,产品型号有所变化。除采用 ST 首标外,还生产与别的厂家 型号完全相同的产品。

缩写符号:SANYO(TSAJ) 译名:三洋公司(日) 器件型号举例说明 LA 1230 首标 器件编号 LA:双极线性电路; LB:双极数字电路; LC:CMOS 电路; LE:MNMOS 电路; LM:PMOS、NMOS 电路; STK:厚腊电路; LD:薄膜电路。 缩写字符:SGSI 译名:意大利国家半导体公司 器件型号举例说明(采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON 的符号) TDA 1200 XX (X/X) 首标 器件编号 封装及封装材料 质量等级 首位字母表示: 封装: T:模拟电路; 单字母表示: U:模拟/数字混合电路; C:圆壳; 第二位字母表示: D:双列直插; 没规定含义。 E:功率双列; 双字母表示: F:扁平封装。 FA~FZ、 两字母表示: GA~GZ:数字电路,系列有别。 首位(表示封装) : 单字母表示: C:圆壳; S:单片数字电路。 D:双列直插; 另外的首标含义: E:功率双列(带散热板) ; H:高电平逻辑; F:扁平封装; HB、HC:CMOSIC; G:四边引线扁平封装; L、LS:线性电路; K:菱形(TO-3 型) ; M:MOS 电路; M:多列直插; TAA、TBA、TCA、TDA: Q:四列直插; 线性控制电路。 R:功率四列(带散热板) ;

第二位字母表示温度范围: S:单列直插; A:没规定范围,或非下列温度范围; T:三列直插。 B: (0~70)℃; 第二位(表示封装材料) ; C: (-55~125)℃; C:金属-陶瓷; D: (-25~70)℃; G:玻璃-陶瓷(双列) ; E: (-25~85)℃; M:金属; F: (-40~85)℃; P:塑料。 G: (-55~85)℃。 该公司与法国 THOMSON 公司联合组成 SGS-THOMSON 公司,产品型号有所变化。除采用 ST 首标外,还生产与别的厂家 型号完全相同的产品。

缩写符号:SANYO(TSAJ) 译名:三洋公司(日) 器件型号举例说明 LA 1230 首标 器件编号 LA:双极线性电路; LB:双极数字电路; LC:CMOS 电路; LE:MNMOS 电路; LM:PMOS、NMOS 电路; STK:厚腊电路; LD:薄膜电路。 缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美) 器件型号举例说明 NE 5534 N 首标 器件编号 封装 当有第二位字母时 表示温度范围: CK:芯片; 表示引线数 75、N、NE: (0~70)℃ D:微型(SO)塑料; B:3; (0~75)℃; E:金属壳(TO-46,TO-72) C:4; 55、S、SE: 4 线封装; E:8; (-55~125)℃; F:陶瓷浸渍扁平; F:10; SA: (-40~85)℃; G:芯片载体; H:14; SU: (-25~85)℃。 H:金属壳(TO-5) J:16; 8、10 线封装; K:18 I:多层陶瓷双列; L:20; K:TO-3 型; M:22; N:塑料双列; N:24; P:有接地端的微型封装; Q:28; Q:多层陶瓷扁平; W:40; R:氧化铍多层陶瓷扁平; X:44; S:功率单列塑封; Y:48; W:陶瓷扁平。 Z:50。 同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入 PHIN 公司。

缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)

器件型号举例说明(与欧共体相一致) TB B 1458 A GG 首标 温度范围 器件编号 改进型 封装 第一字母表示: A:没规定范围; 首位字母表示封装形式: S:单片数字电路; B: (0~70)℃; C:圆壳; T:模拟电路; C: (-55~125)℃ D:双列直插; U:模拟/数字混合 D: (-25~70)℃; E:功率双列(带散热片) ; 电路。 E: (-25~85)℃; F:扁平(两边引线) ; 第二字母,除"H" F: (-40~85)℃。 G:扁平(四边引线) ; 表示混合电路外, K:菱形(TO-3) ; 其它没明确含义。 M:多列引线(双、三、四列 电路系列由两字母加以 除外) ; 区分。 Q:四列直插; R:功率四列(带散热片) ; S:单片直插; T:三列直插。 第二位字母表示封装材料: C:金属-陶瓷; G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍) ; M:金属; P:塑料。 (半字符以防前后符号混淆) 缩写符号:THEF 译名:汤姆逊公司(法) 器件型号举例说明(与欧共体相一致) TD B 0155 A DP XX/XX 首标 温度范围 器件 改 封装 附加资料 第一字母表示: A:没规定范围; 编号 进 第一字母表示封装形式: S:数字电路; B: (0~70)℃; 型 C:圆形; T:模拟电路; C: (-55~125)℃; D:双列; U:模拟/数字混 D: (-25~70)℃; E:功率双列; 合电路。 E: (-25~85)℃; F:扁平(两边引线) ; 第二字母有 A、 F: (-40~85)℃。 G:扁平(四边引线) ; B、C 或 H。 K:TO-3 型; M:多列引线(多于四排) Q:四列引线; R:功率四列引线; S:单列引线; T:三列引线; 第二字母表示封装材料; B:氧化铍-陶瓷; C:陶瓷; G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍) M:金属; P:塑料; X:其它。 该公司与意大利 SGS 公司组成 SGS-THOMSON 公司。 产品型号有变化,除 ST 首标的产品外,还生产与别的厂家型号完全相同的产品。 老产品型号举例说明

SFC 2 101 A P M THEF/CSF 的首标 系列 器件 改 封装 温度范围 2:线性电路; 编号 进 D:塑料小型双列(少于 10 线) C: ; (0~70)℃; 9:微机系列。 型 E:塑料双列(多于 10 线) T: ; (-25~85)℃; G:陶瓷小型双列(小于 10 线) M: ; (-55~125)℃。 J:陶瓷浸渍双列(多于 10 线) ; K:陶瓷双列; P:扁平金属封装; R:菱形金属封装; U:塑料小型扁平封装; 没标者为金属圆壳封装。 汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明 EF - 68008 V P D 10 C 首标 工艺 器件 温度范围 封装 质量水平 频率 用户 ──: 编号 L: (0~70)℃; P:塑料双列; ──:标准的; 范围 密码 NMOS 或 HMOS; V: PN:塑料芯片载体; D:D 级(STD L:NMOS (-40~85)℃。 FP:小引线封装; 加老化) 。 低功耗; R:陶瓷 PGA 封装; C:CMOS; E:陶瓷芯片载体; HC:HCMOS。 J:陶瓷浸渍双列; C:陶瓷双列。 ET C 2716 Q 55 M B/B 首标 工艺 器件 封装 响应时间 温度范围 质量水平 ── : C:陶瓷双列; ──: (0~70)℃; ──:标准的 NMOS; J:陶瓷浸渍双列 E: (-25~85)℃ ; B/B:883B 的. C:CMOS; N:塑料双列; V: (-40~85)℃ ; L:低功耗。 Q:紫外线窗口陶 M: (-55~125)℃。 瓷浸渍双列。 MK 68901 P 00 首标 器件编号 封装 仪表板编号 MK:标准产品; P:镀金铜焊陶瓷双列; MKB:军用高可靠筛选 J:陶瓷浸渍双列; 883B 产品; N:塑料双列; MKI:工业用高可靠筛选 K:镀锡铜焊陶瓷双列; (-40~85)℃产品。 T:有透明盖的陶瓷双列; E:陶瓷芯片载体; D:双密度 RAM/PAC; F:扁平封装。 ET - 68A00 C M B/B 首标 工艺 器件编号 封装 温度范围 质量水平 A:NMOS; C:陶瓷双列; L: (0~70)℃; B:CMOS/大部分; E:陶瓷芯片载体; V: (-40~85)℃; G:GMOS/Si gate J:陶瓷浸渍双列; M: (-55~125)℃。 (硅栅) FN:塑料芯片载体; ; X: (样品)原型。 P:塑料双列; R:RGA。 J LM108A 1 V 芯片 器件编号 硅片背面 质量水平

大片 加工: V:芯片封装前按 MIL-STD-883 方法 2010 1:硅; 进行 100%目检; 2:镀金; N:V 水平的加上批量抽样(55 封装的 IC) ; 3:Si-Ni-Ag。 T:N 水平的加上批量抽样老化(55 封装 IC) ; W:T 水平的加上 1000 小时批量抽样寿命试验(55 封装 IC) ; Z:W 水平的接着试验。 同时有与欧共体相同的编号。 缩写符号:TII 译名:得克萨斯公司(美) 器件型号举例说明 TL 0728 E JG 首标 器件编号 温度范围 封装 LS 183 J 首标 温度范围 系列 器件编号 封装 首标符号意义 AC:改进的双极电路; SN:标准的数字电路; TL:TII 的线性控制电路; TIEF:跨导放大器; TIES:红外光源; TAL:LSTTL 逻辑阵列; JANB:军用 B 级 IC; TAT:STTL 逻辑阵列; JAN38510:军用产品; TMS:MOS 存储器/微处理器; JBP:双极 PMOS 883C 产品; TM:微处理器组件; SNC:IV 马赫 3 级双极电路; TBP:双极存储器; SNJ:MIL-STD-883B 双极电路; TC:CCD 摄像器件; SNM:IV 马赫 1 级电路; TCM:通信集成电路; RSN:抗辐射电路; TIED:经外探测器; SBP:双极微机电路; TIL:光电电路; SMJ:MIL-STD-883B MOS 电路; VM:语音存储器电路; TAC:CMOS 逻辑阵列; TIFPLA:双极扫描编程逻辑阵列; TLC:线性 CMOS 电路; TIBPAL:双极可编程阵列逻辑。 同时采用仿制厂家的首标。 封装符号 J、JT、JW、JG:陶瓷双列; PH、PQ、RC:塑料四列扁平封装; T:金属扁平封装; LP:塑料三线; D、DW:小引线封装; DB、DL:缩小的小引线封装; DBB、DGV:薄的超小型封装; DBV:小引线封装; GB:陶瓷针栅阵列; RA:陶瓷扁平封装; KA、KC、KD、KF:塑料功率封装; U:陶瓷扁平封装; P:塑料双列; JD:黄铜引线框陶瓷双列; W、WA、WC、WD:陶瓷扁平封装; N、NT、NW、NE、NF:塑封双列; MC:芯片; DGG、PW:薄的再缩小的小引线封装; PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ:塑料薄型四列扁平封装; FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP:芯片载体。 数字电路系列符号 GTL:Gunning Transceiver Logic; SSTL:Seris-Stub Terminated Logic; CBT:Crossbar Technology; CDC:Clock-Distribution Circuits; ABTE:先进 BiCMOS 技术/增强收发逻辑; FB:Backplane Transceiver Logic/Futurebust; 没标者为标准系列; L:低功耗系列; AC/ACT:先进 CMOS 逻辑; H:高速系列; AHC/AHCT:先进高速 CMOS 逻辑; ALVC:先时低压 CMOS 技术; S:肖特基二极管箝位系列; LS:低功耗肖特基系列; BCT:BiCMOS 总线-接口技术; AS:先进肖特基系列; F:F 系列(FAST) CBT:Crossbar Technology; ; ALS:先进低功耗肖特基系列; HC/HCT:高速 CMOS 逻辑; LV:低压 HCMOS 技术; ABT:先时 BiCMOS 技术。 速度标志(MOS 电路用) 15:150ns MAX 取数; 17:170 ns MAX 取数; 20:200 ns MAX 取数; 25:250 ns MAX 取数; 35:350 ns MAX 取数; 45:450 ns MAX 取数; 2:200 ns MAX 取数; 3:350 ns MAX 取数; 4:450 ns MAX 取数。

温度范围 数字和接口电路系列: 双极线性电路: MOS 电路: 55、54: (-55~125)℃; M: (-55~125)℃; M: (-55~125)℃; 75、74: (0~70)℃; E: (-40~85)℃; R: (-55~85)℃; CMOS 电路 74 表示(-40~85)℃; I: (-25~85)℃; L: (0~70)℃; 76: (-40~85)℃。 C: (0~70)℃。 C: (-25~85)℃; E: (-40~85)℃; S: (-55~100)℃; H: (0~55)℃。 缩写符号:VTC 译名:VTC 公司 器件型号举例说明 CMOS 集成电路 V B 74 ACT 240 P 首标 附加处理 温度 系列 器件编号 封装 (辅助程序) 74:商用(-40~85)℃; P:塑料双列; B:168 小时, 54:军用(-55~125)℃; PS:塑料双列(细线) ; Tj=150℃; S:陶瓷双列; 老化或等效处理; DS:陶瓷双列(细线) ; J:833B 级筛选; PL:塑料芯片载体(PLCC) ; R:抗辐照。 DL:陶瓷芯片载体(LCC) ; PO:塑料 SOIC。 注:没有不附加处理的。 双极电路 V B 空位 705 D J 首标 附加处理 系列 部分编号 封装 温度和特性 B:168 小时, P:塑料双列; A~I:工业用(-25~85)℃; Tj=150℃, PS:塑料双列 J~R:商用(0~70)℃; 老化或等效处理; (细线) S~Z:军用(-55~125)℃。 ; J:833B 级筛选; D:陶瓷双列; R:抗辐照。 J:陶瓷双列 (侧面铜焊) ; T:金属壳; G:PGA; F:扁平; PL:塑料芯片载体 (PLCC) ; DL:陶瓷芯片载体 (LCC) 。 注:没有不附加处理的。 缩写字符:TOSJ 译名:东芝公司(日) 器件型号举例说明

TA 7173 P 首标 器件编号 封装 TA:双极线性电路; P:塑封; TC:CMOS 电路; M:金属封装;

TD:双极数字电路; C:陶瓷封装; TM:MOS 存储器及微处理器 F:扁平封装; 电路。 T:塑料芯片载体(PLCC) ; J:SOJ; D:CERDIP(陶瓷浸渍) ; Z:ZIP。 缩写符号:MATJ 译名:松下电气公司(日) 器件型号举例说明 DN 74LS00 首标表示系列 器件编号 AN:模拟 IC; DN:双极数字 IC; MJ:开发型 IC; MN:MOS IC。 缩写符号:HITJ 译名:日立公司(日) 器件型号举例说明 HA 17741 P 首标 系列/器件编号 封装 HA:模拟电路; C(或不标的) :陶瓷双列直插封装; HD:数字电路(含 RAM) G:陶瓷浸渍双列; ; HM:RAM; P:塑封双列; HN:ROM; CP:塑料芯片载体; HG:ASIC。 F(FP) :扁平塑料封装; SO(SOP) :小引线封装; CG:陶瓷芯片载体(8Bit 微机电路) ; Y(PG) :PGA(16Bit 微机电路) ; Z:陶瓷芯片载体(16Bit 微机电路) ; S:收缩型塑料双列。 *PGA:PIN GRID ARRAY。 缩写符号:IDT 译名:集成器件技术公司 器件型号举例说明

IDT 71 681 LA 35 C B 首标 系列 器件 功耗 速度 封装 温度范围 29:MSI 逻辑电路; 编号 L 或 LA: P:塑料双列; 没标: (0~70)℃; 39:有限位的微处理器 低功耗; TP:塑料薄的双列; B:833B 级, 和 MSI 逻辑电路; S 或 SA: TC:薄的双列 (-55~125)℃。 49:有限位的微处理器 标准功耗。 (边沿铜焊) ; 和 MSI 逻辑电路; TD:薄的陶瓷双列; 54/74:MSI 逻辑电路; D:陶瓷双列; 61:静态 RAM; C:陶瓷铜焊双列; 71:静态 RAM(专卖的) XC:陶瓷铜焊缩小 ; 72:数字信号处理电路; 的双列; 79:RISC 部件; G:针栅阵列(PGA)

7M/8M:子系统模块 SO:塑料小引线 IC; (密封的) J:塑料芯片载体; ; 7MP/8MP:子系统模块 L:陶瓷芯片载体; (塑封) XL:精细树脂芯片 。 载体; ML:适中的树脂 芯片载体; E:陶瓷封装; F:扁平封装; U:管芯。

IC 型号命名方法参考 http://hi.baidu.com/spwiner2009/blog/item/2888641dba5df869f724e44b.html 2009-11-05 15:37 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) XX X 123 456 1.前缀:MAXIM 公司产品代号 2.产品系列编号:100-199 模数转换器 600-699 电源产品 200-299 接口驱动器/接受器 700-799 微处理器 外围显示驱动器 300-399 模拟开关 模拟多路调制器 800-899 微处理器 监视器 400-499 运放 900-999 比较器 500-599 数模转换器 3.指标等级或附带功能:A 表示 5%的输出精度,E 表示防静电 4 .温度范围: C= 0℃ 至 70℃(商业级)I =-20℃ 至 +85℃(工业级)E =-40℃ 至 +85℃(扩展工 业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M =-55℃ 至 +125℃(军品级) 5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装 E 四 分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGAJ CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅 格阵列 LLCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插 Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装 T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装 (300mil) SC-70 X (3 脚, 脚,6 脚) 窄体铜顶封装 Z TO-92MQUAD/D 5 Y 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆 6.管脚数量: A:8B:10,64C:12,192D:14E:16F:22,256G:24H:44I:28 J:32 K:5,68L:40M:7, 48N:18O:42P:20Q:2,100R:3,84 S:4,80T:6,160U:60V:8(圆形)W:10(圆形)X:36Y:8(圆形)Z:10 (圆形) AD 常用产品型号命名

单块和混合集成电路 XXXX XX X X 混合集成 A/D, X 123 45 HD 混合集成 D/A

1.前缀:AD 模拟器件,HA 2.器件型号

3.一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V 4.温度范围/性能(按参数性能提高排列): I、J、K、L、M 0℃至 70℃ S、T、U -55℃至 125℃ 5. 封装形式: 陶瓷或金属密封双列直插 R D 装 F 陶瓷扁平封装 ATMEL 产品型号命名 A、B、C-25℃或-40℃至 85℃

微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体 RS

缩小的微型封

AT XX X XX XX X X X 1 2 3 4 5 6 1.前缀:ATMEL 公司产品代号 2.器件型号 3.速度 4.封装形式: A TQFP 封装 P 塑料双列直插 B 陶瓷钎焊双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 C 陶瓷熔封 R 微型封装集成电路 D 陶瓷双列直插 S 微型封装集成电路 F 扁平封装 T 薄型微型封装集成电路 G 陶瓷双列直插,一次可编程 U 针阵列 J 塑料 J 形引线芯片载体 V 自动焊接封装 K 陶瓷 J 形引线芯片载体 W 芯片 L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封 M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块 N 无引线芯片载体,一次可编程 5.温度范围: C 0℃至 70℃, I -40℃至 85℃, M -55℃至 125℃ 6.工艺: 空白标准 /883 Mil-Std-883, 完全符合 B 级 B Mil-Std-883,不符合 B 级 BB 产品型号命名 XXX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 DAC 87 X XXX X /883B 4 7 8 1.前缀: ADC A/D 转换器 MPY 乘法器 ADS 有采样/保持的 A/D 转换器 OPA 运算放大器 DAC D/A 转换器 PCM 音频和数字信号处理的 A/D 和 D/A 转换器 DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器 INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路 ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块 MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V 变换器 MPC 多路转换器 XTR 信号调理器 2.器件型号 3.一般说明: A 改进参数性能 L 锁定

Z + 12V 电源工作 HT 宽温度范围 4.温度范围: H、J、K、L0℃至 70℃ A、B、C -25℃至 85 ℃ R、S、T、V、W -55℃至 125℃ 5.封装形式: L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插 N 塑料芯片载体 U 微型封装 P 塑封双列直插 6.筛选等级: Q 高可靠性 QM 高可靠性,军用 7.输入编码: CBI 互补二进制输入 COB 互补余码补偿二进制输入 CSB 互补直接二进制输入 CTC 互补的两余码 8.输出: V 电压输出 I 电流输出 CYPRESS 产品型号命名 XXX 7 C XXX XX X X X 12 3 4 5 6 1.前缀: CY Cypress 公司产品, CYM 模块, VIC VME 总线 2.器件型号:7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 3.速度: A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J 形引线的微型封装 B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插 F 扁平封装 X 芯片 G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体 H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插 J 塑料有引线芯片载体 K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插 L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插 P 塑料 PS 塑料单列直插 Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷 S 微型封装 IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装 5.温度范围: C 民用(0℃至 70℃) I 工业用 (-40℃至 85℃) M 军用(-55℃至 125℃) 6.工艺: B 高可靠性 HITACHI 常用产品型号命名 XX XXXXX X X 1 2 3 4 1.前缀: HA 模拟电路 HB 存储器模块 HD 数字电路 HL 光电器件(激光二极管/LED) HM 存储器(RAM) HR 光电器件(光纤) HN 存储器(NVM)PF RF 功率放大器 HG 专用集成电路 2.器件型号 3.改进类型

7C9101

微处理器

4.封装形式: P 塑料双列 PG 针阵列 C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插 CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体 FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插 SO 微型封装 INTERSIL 产品型号命名 XXX XXXX X X X X 1 2 3 4 5 6 1.前缀: D 混合驱动器 G 混合多路 FET ICL 线性电路 ICM 钟表电路 IH 混合/模拟门 IM 存储器 AD 模拟器件 DG 模拟开关 DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路 MM 高压开关 NE/SE SIC 产品 2.器件型号 3.电性能选择 4.温度范围: A -55℃至 125℃, B -20℃至 85℃, C 0℃至 70℃ I -40℃至 125℃, M -55℃至 125℃ 5.封装形式: A TO-237 型 L 无引线陶瓷芯片载体 B 微型塑料扁平封装 P 塑料双列直插 C TO-220 型 S TO-52 型 D 陶瓷双列直插 T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100 型 E TO-8 微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71 型 F 陶瓷扁平封装 V TO-39 型 H TO- 66 型 Z TO-92 型 I 16 脚密封双列直插 /W 大圆片 J 陶瓷双列直插 /D 芯片 K T O-3 型 Q 2 引线金属管帽 6.管脚数: A 8, B 10, C 12, D 14, E 16, F 22, G 24, H 42, I 28, J 32, K 35, L 40, M 48, N 18, P 20, Q 2, R 3, S 4, T 6, U 7, V 8(引线间距 0.2"",绝缘外壳) W 10(引线间距 0.23"",绝缘外壳) Y 8(引线间距 0.2"",4 脚接外壳) Z 10(引线间距 0.23"",5 脚接外壳) NEC 常用产品型号命名 μP X XXXX X 1 2 34 1.前缀 2.产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路, C 双极模拟电路 D 单极型数字电路 3.器件型号: 4.封装形式: A 金属壳类似 TO-5 型封装 J 塑封类似 TO-92 型 B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体 C 塑封双列 V 立式的双列直插封装

D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插 MICROCHIP 产品型号命名 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 34 5 6 1. 前缀:PIC MICROCHIP 公司产品代号 2. 器件型号(类型): C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率 CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率 CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速 CMOS FR FLEX ROM 3.改进类型或选择 4.速度标示: -55 55ns, -70 70ns, -15 150ns, -17 170ns, -20 200ns,

-90 90ns, -25 250ns,

-10 100ns, -30 300ns

-12 120ns

晶体标示: LP 小功率晶体, RC 电阻电容, XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体 频率标示: -20 2MHZ, -04 4MHZ, -10 10MHZ, -16 16MHZ -20 20MHZ,-25 25MHZ,-33 33MHZ 5.温度范围: 空白 0℃至 70℃, I -45℃至 85℃,E -40℃至 125℃ 6.封装形式: L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14 腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插,无窗口 SM 8 腿微型封装-207mil SN 8 腿微型封装-150 mil VS 超微型封装 8mm×13.4mm SO 微型封装-300 milST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68 腿陶瓷四面引线,带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装 8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装 ST 产品型号命名 普通线性、逻辑器件 MXXX XXXXX XX X X 1 2 3 4 5 1.产品系列: 74AC/ACT 先进 CMOS HCF4XXX M74HC 高速 CMOS 2.序列号 3.速度 4.封装:BIR,BEY 陶瓷双列直插 M,MIR 塑料微型封装 5.温度 普通存贮器件 XX X XXXX X XX X XX

1 2 34 5 6 7 1.系列: ET21 静态 RAM ETL21 静态 RAM ETC27 EPROM MK41 快静态 RAM MK45 双极端口 FIFO MK48 静态 RAM TS27 EPROM S28EEPROM TS29 EEPROM 2.技术: 空白…NMOS C…CMOS L…小功率 3.序列号 4.封装: C 陶瓷双列 J 陶瓷双列 N 塑料双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插 5.速度 6.温度: 空白 0℃~70℃ E -25℃~70℃ V -40℃~85℃ M -55℃~125℃ 7.质量等级: 空白 标准 B/B MIL-STD-883B B 级 存储器编号(U.V EPROM 和一次可编程 OTP) M XX X XXX X X XXX X X 1 2 3 4 5 6 7 8 1.系列: 27…EPROM 87…EPROM 锁存 2.类型:空白…NMOS, C…CMOS,V…小功率 3.容量: 64…64K 位(X8) 256…256K 位(X8) 512…512K 位(X8) 1001…1M 位(X8) 101…1M 位(X8)低电压 1024…1M 位(X8) 2001…2M 位(X8)201…2M 位(X8)低电压 4001…4M 位(X8)401…4M 位(X8)低电压 4002…4M 位(X16) 801…4M 位(X8) 161…16M 位(X8/16)可选择 160…16M 位(X8/16) 4 改进等级 5.电压范围: 空白 5V +10%Vcc, X 5V +10%Vcc 6.速度: 55 55n, 60 60ns, 70 70ns, 80 80ns 90 90ns, 100/10 100 n 120/12 120 ns, 150/15 150 ns 200/20 200 ns, 250/25 250 ns 7.封装: F 陶瓷双列直插(窗口) L 无引线芯片载体(窗口) B 塑料双列直插 C 塑料有引线芯片载体(标准) M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体(低电压) 8.温度: 1 0℃~70℃,6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃ 快闪 EPROM 的编号 M XX X A B C X X XXX X X 1 2 3 4 5 6 7 89 10 1.电源 2.类型: F 5V +10%, V 3.3V +0.3V 3.容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M, 8M, 16 16M 4.擦除: 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区 5.结构: 0 ×8/×16 可选择, 1 仅×8,2 仅×16 6.改型: 空白 A

7.Vcc: 空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc 8.速度: 60 60ns, 70 70ns, 80 80ns, 90 90ns 100 100ns, 120 120ns, 150 150ns, 200 200ns 9.封装: M 塑料微型封装 N 薄型微型封装,双列直插 C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插 10.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃ 仅为 3V 和仅为 5V 的快闪 EPROM 编号 M XX X XXX X XXX X X 123 45 6 7 1.器件系列: 29 快闪 2.类型: F 5V 单电源 V 3.3 单电源 3.容量: 100T (128K×8.64K×16)顶部块, 100B (128K×8.64K×16)底部块 200T (256K×8.64K×16)顶部块, 200B (256K×8.64K×16)底部块 400T (512K×8.64K×16)顶部块, 400B (512K×8.64K×16)底部块 040 (12K×8)扇区, 080 (1M×8)扇区 016 (2M×8)扇区 4.Vcc: 空白 5V+10%Vcc,X +5%Vcc 5.速度: 60 60ns,70 70ns, 80 80ns 90 90ns,120 120ns 6.封装: M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体 P 塑料双列直插 7.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃ 串行 EEPROM 的编号 ST XX XX XX X X X 123 4 5 6 1.器件系列: 24 12C , 25 12C(低电压),93 微导线 95 SPI 总线 28 EEPROM 2.类型/工艺: C CMOS(EEPROM) E 扩展 I C 总线 W 写保护士 CS 写保护(微导线) P SPI 总线 LV 低电压(EEPROM) 3.容量: 01 1K, 02 2K, 04 4K, 08 8K 16 16K, 32 32K, 64 64K 4.改型: 空白 A、 B、 C、 D 5.封装: B 8 腿塑料双列直插 M 8 腿塑料微型封装 ML 14 腿塑料微型封装 6.温度:1 0℃~70℃6 -40℃~85℃3 -40℃~125℃ 微控制器编号 ST XX X XX X X 12 3 4 5 6 1.前缀 2.系列: 62 普通 ST6 系列 63 专用视频 ST6 系列 72 ST7 系列 90 普通 ST9 系列 92 专用 ST9 系列 10 ST10 位系列

20 ST20 32 位系列 3.版本: 空白 ROM T OTP(PROM) R ROMlessP 盖板上有引线孔 E EPROM F 快闪 4.序列号 5.封装: B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插 F 熔封双列直插 M 塑料微型封装 S 陶瓷微型封装 CJ 塑料有引线芯片载体 K 无引线芯片载体 L 陶瓷有引线芯片载体 QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列 R 陶瓷什阵列 T 薄型四面引线扁平封装 6.温度范围: 1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业) 61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃ XICOR 产品型号命名 X XXXXX 1 2 3 4 56 X X X (-XX)

EEPOTX XXXX 1 27 3 4

X X X

串行快闪 X XX X XXX X X -X 1 2 3 4 8 1. 前缀 2. 器件型号 3. 封装形式:D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 E 无引线芯片载体 R 陶瓷微型封装 F 扁平封装 S 微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 L 薄型四面引线扁平封装 X 模块 M 公制微型封装 Y 新型卡式 4. 温度范围: 空白 标准, B B 级(MIL-STD-883), E -20℃至 85℃I -40℃至 85℃, M -55℃至 125℃ 5.工艺等级: 空白 标准,B B 级(MIL-STD-883) 6.存取时间(仅限 EEPROM 和 NOVRAM): 20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns 55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150ns Vcc 限制(仅限串行 EEPROM): 空白 4.5V 至 5.5V, -3 3V 至 5.5V -2.7 2.7V 至 5.5V, -1.8 1.8V 至 5.5V 7. 端到末端电阻: Z 1KΩ, Y 2KΩ, W 10KΩ,U 50KΩ, T 100KΩ 8. Vcc 限制: 空白 1.8V 至 3.6V, -5 4.5V 至 5.5V

ZILOG 产品型号命名

Z XXXXX XX X X X XXXX 1 2 3 4 5 67 1. 前缀 2. 器件型号 3. 速度: 空白 2.5MHz,A 4.0MHz, B 6.0MHz H8.0MHz, L 低功耗的, 直接用数字标示 4. 封装形式: A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊 D 陶瓷双列直插 E 陶瓷,带窗口 F 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 H 缩小型微型封装 I PCB 芯片载体 K 陶瓷双列直插,带窗口 L 陶瓷无引线芯片载体 P 塑料双列直插 Q 陶瓷四列 S 微型封装 V 塑料有引线芯片载体 5.温度范围: E -40℃至 100℃, M -55℃至 125℃, S 0℃至 70 ℃ 6.环境试验过程: A 应力密封, B 军品级, C 塑料标准, D 应力塑料, E 密封标准


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