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2003-2004年磁学和磁性材料新进展

时间:2012-03-14


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2 0 ~04年磁学和磁性材料新进展  0 3 20
() I 一般磁性 、非金属磁性和材料及磁共振 
李国栋 
( 中国科 学院 物理研 究所 ,北京 10 8 ) 000 
摘 要: 综合介绍 20  04 0320 年问国内外磁学和磁性材料在基础和应用研究方面的若干新进展 。 这是从 17  97

年开始的每年这方面新进展综述的继续。全文分 (I) I) 、(I 两部分。第一部分含一般磁性和非金属磁性、微波  磁学、磁光学、 电子学、磁记录学、各种磁共振 ( 磁 铁磁 、顺磁、核磁共振和 MOsae 效应 ) s ur b 。第二部分含金  属磁性、稀土磁学、纳米和非晶磁学、磁性材料和磁效应、磁技术和磁应用、交叉磁学 ( 生物磁学、地球磁 学、   宇宙磁学、 原子核磁学和基本粒子磁学 ) 资料取 自 。 这一时期的磁学会议和期刊文献 附录中列 出20 04年国内外 
有关磁学会议的题录。  

关键词:磁学:微波磁学;磁光学;磁电子学;磁记录学;磁共振 
中图分类号 :O 4 . T 7 4 1 ; M2  2 文献标识码 :A   文章编 号 :10 -8020 ) —030  0 1 3 ( 50 0 1-4 3 0 2

1一般磁 性 、非 金属磁性 
纳米结构工艺为制造具有新的功能的磁性材 

内测量并研究了在零场冷却和磁场 中冷却的磁化  强度与温度的关系以及阻挡温度 瓦。实验结果表 

明,在高于 死时纳米粒子显示趔 顶 磁性,低于 瓦  料提供了新的方法。这样制造的纳米结构磁性材  时则显示铁磁性【 3 】 。为了研究新结构的铁氧体特殊  料, 其大量原子处于表面区域,因而表面原子的磁  磁性 , 最近研究了用 C 2 a+ 代换 S2的化学压效应对  r   性能便起着重要的、 有时甚至决定性的作用 。 最近  (r xaFMo 6 S2 C x e O 双钙钛矿型铁氧体的晶体结构、 一 )   便采用这种工艺研究了NF24 i O 纳米材料的性能。 e   磁化强度和电导率的影响。实验结果显示,随着  在不同温度下对纳米粒子退火处理, 再利用低温超  c 2 a 的增加, + 材料的F/ 有序化增强, e Mo 使磁矩增  导量子干涉仪 (Q I ) S U D 式磁强计测量样品的 磁特  大到接近理论值, 也使电导率增大【 最近由于先  4 J 。 性。实验结果表明:NF24 ie 纳米粒子由于表面无  O 进技术的需要, 促进了磁学和磁性材料领域的许多 

序而具有核心/ 壳层结构。磁心的容易磁化也会受  进展,例如,高频磁性材料的使用范围显著扩大,   到显著的影响。 更由于磁纳米粒子表面区域一般存  材料种类不断增加; 微波磁性材料的应用频率向高  在结构和磁性 的无序 , 因而可以在发展纳米材料时  低频段展宽 : 纳米磁性材料和介 观磁学不断迅速发  广泛地应用交换耦合作用…。 电阻隧道结材料是  展 :交叉磁学和生物磁学 、地球磁学 、宇宙磁学 、 磁  
当前磁电子技术 中具有重要特性 和应用 的一类新 

磁性材料。 最近利用金属掩膜法优化了制备磁性隧  道结的实验和工艺条件 。 通过试验研究 , 采用适 当  的铁磁电极材料和尺寸, 可以使室温磁电阻比值高  达 4. 1 %。又利用光刻工艺结合离子束刻蚀法, 5 制 

原子核磁学和基本粒子磁学的研究和应用都取得  了许多新的研究成果【。 5  】

2 微波磁 学 
磁学和磁性材料研 究和应用 的一个重要方 面 

备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧  是频率的提高和扩展。微波磁学便是这方面的反  道结 , 并得到高的磁场灵敏度。 这样制备的 磁性隧  映。最近研究了FA 非均匀系统的铁磁共振和磁  eg 道结可用于研制磁动态随机存储器和其他磁敏传  化率的 特性。样品是利用脉冲激光淀积法将 F 的 e   感器件【。最近从实验方面研究了单弥散的 F3 4 纳米颗粒淀积在基体 A 2 】 e   o g中。实验中测量了 FA   eg
纳米粒子 的重要磁特性 。在 2 —6K 的温度范围  . 10 5
收稿 日期 :20 — —7 041 1  2

在 430 ~0K的温度范围内和 9 6 H 的铁磁共振和  .G z 4 磁化率与 F 含量的关系。 e 结果显示 , 随着 F 浓度  e 的增高, 材料从趔 项磁性转变为铁磁性;随着退火  温度的提高或测量温度的降低, 铁磁共振线宽和各 
】  3

作者通信:0 6 567  1—27 89 0

磁 性材料及器件   25 月 0 年4   0

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向异性场也增大: 在低温下铁磁共振线宽的增加更 

B : y 磁光层 ,把这些 磁光层放置在 6层 的  i Dl G

为明显【 磁性材料在微波频段的损耗多着重于铁  剐 。

S 2 a0 i / 2 5的夹层 中。分别研究 了这些材料 的  0T

a dy a er 主要的研  磁共振区的研究, 最近利用晶粒表层自 旋波共振激  Fr a 旋转光学效应 和 K r磁光效应 。 发模型研究 了铁磁共振 区和非共 振区的弛豫过程  究结果显示,Frdy旋转效应增大两个数量级, a a a   e 】    和损耗, 指出由晶粒表层 自 旋波系统到晶格的弛豫  K r 旋转也比单层无介电层增大两个数量级【 。 过程是非共振区微波能量损耗 的主渠道 : 而在共振  区, 则由一致进动经过兼并态 自旋波到晶格的弛豫 

最近利用纳米球光刻术成功地研制成具有周期纳  米点阵列的 N8 e 坡莫 ( iF2 0 o 高导磁 ) 合金薄膜。这 
种纳米球 光刻技 术能够很好 地控制纳米 颗粒的离 

过程仍然是微波能量损耗的主渠道【。 7 一类对微波    l 具有强衰减作用的微波磁吸收材料由于国防、 工业 
等 的需要 而受 到 重视 。最 近较 为 系统 地研 究 了  B C  ̄n一F l 2   O 2 )的结构 、静态磁性 、 a oZ 2 e O 7( ~ . 6 O   动态磁性和铁磁共振 。实验研究的主要结果表明,   在 x0 ~. =. 1 7 0的成分可得到最佳 的软磁性能 , = . x0   6

平面高度和形状。 利用这种光刻技术将磁纳米点制  成三角形和各种周期性的单层和双层的粒子阵列。   这些磁颗粒 的直径约 10m,制成 的膜厚度为 2 ,  n 0 O 
3 和 4n 利用纵向磁光 K r效应测量系统等进  0 0m。 e 行 了测量和研究【 。 】 最近对具有重要磁性 和磁光性  引

时可使各向异性从 C 轴改变为 C 在微波频率具  质的Vn ek 面, aVl 半磁性半导体的 F 基化合物Z S: c e n   有低反射率 。 】 微波技术中宽频带的多种微波磁器  F2 e 进行 了实验 和理论研 究 。近红外 光谱 的动态  +
件 有 着 广 泛 和 重 要 的 应 用 。 最 近 对 在 
80 10MH 0 ~ 00 z移动通讯上应用的磁环行器进行 了  

Jh-ee效应 、精细结构 分裂 、磁 比热 、磁化率  anTlr l 的研究表 明, 这些实验结果可 以用立方 晶体场相互 

研制。磁性材料选用 Y a Il C VnG石榴石型铁氧体 
和 N —e dF. B永磁材料 ,研制成 的 L波段薄型环行 

作用和自旋. 轨道耦合加以说明,这些作用不仅与  中央金属离子有关 ,也与 配位体有关 【 。稀 土一 】   铁  金属间化合物具有良好的磁特性, 曾利用宏观测量 
方法较系统研究 了这些 磁性化合物 。 最近利用磁力 

器 的频率范 围为 80 10 MH ,工作 带宽 ≤ 0~00 z  
3MH ,正向损耗 ≤05B, 向损耗 ≥2d 平  0 z . d 反 5B,

均功率≥10 在第 3 0W。 端加上一个 5 Q电阻负载  0 就可成为磁隔离器【。微波铁氧体的工程技术方  9 】
面 的研究 、开发和应用在最 近也有许多的发展 ,  

显微镜研究了 T (e T) 单晶的微结构和磁性。 bF, i2 l  
实验结果表明,单 晶在 (0 ) 10 0 1、(1)和 (0 ) 1   0 面的磁畴大小和特征 ( 如黑白反差等 ) 是不相同的,   因而影响其宏观磁性 I 。 】   

形成了一些具有当代科学技术特色的新领域, 如高  功率微波铁氧体、 静磁波、 I Y G宽带调谐技术、 铁  氧体移相器、 微波铁氧体器件微型化、 射频铁氧体  信号处理、 低温 C 烧结铁氧体和磁光等, o 在通信、  

4磁 电子学 
自旋管是现代磁电子学应用的重要器件,   是由


探测、 导航、 能源和仪器等领域发挥着不可替代的   重要作用  。 刚 

多层强磁性薄膜和弱磁性薄膜构成的。 最近研究在  般自 旋管中加 NO 薄层取得了好的效果。这样  i

3磁光学 
激光和光电子新科学技术的研究和应用的发  展, 也促进了磁光学多方面的研究和应用。 最近研  究 了 C Mn o e C Mn ee d C T 和 d FT 两种磁膜的 Fr a  a dy a 旋转特性。这种磁膜是一类稀释磁性半导体材料。  

得到相当低 的饱和磁场和比较大 的磁 电阻。 最近研 

究了在底层上或下加 NO层的C /u o i o / 结构的单  CC 自旋电子管的界面结构和磁电阻。掠入射 x 射线  反射率和 x射线漫散射研究表明, i C 上的  NO在 o
界面粗糙度大于 C 在 NO上 的粗糙度 。 的粗糙  o i 大

这些薄膜是利用分子束外延方法在透明 S 2 i 石英  O 玻璃基片上淀积制成 的。再利用波长 65m 的光  层膜的直流磁输运性质在磁拾声磁头和 自旋电子  3n 学仪器测量了薄膜的磁学 Fr a 旋转性质。实验  学中的重要应用而早受到关注, a dy a 但最近自 旋电子管  
3 结果表明 ,在一定化学成分 c o0M no 7Co 06 e d63 _ l 0 2T  
. .

度可以是抑制 自旋反射率的主要因素。 退火处理可  以使 NO和 C 之间的界面变得更为平坦【 。 i o 】 磁多  剐

薄膜 中观测到最大的 Frdy旋转角。虽然也在  a a a C Mnee d FT 薄膜中观测到较高的 Fr a a dy旋转角, a   但其光学性质不如 C Mn oe薄膜【 。最近从理  d CT 】 ” 论和实验两方面研究了一维无规系统的电动力学  性质和相关的磁光现象。研究材料是厚 25m 的  9n
1  4

中的巨磁阻抗也有 了新 的研究 。最 近便对 T/i i 基  S 片上 的 N F/ o u o e ie / / / Mn多层磁膜 的巨磁阻抗  C C C F 进行 了研究 , 发现表观磁阻抗 的磁滞后效应 、 趋肤 

效应对样品巨磁阻抗并无明显的影响, 这种自旋电  子管将有重要 的应用【 。 】 纳米磁性材料 的研究已经    显著地不仅加强或减弱了磁性材料的若干特性和 
JM a nM a e De i e  V l 6 No2 g t r v s o    c 3   

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应用 , 而且还产生 了一些新的特性和应用 。 例如已  经改进和创新 了基 于高频磁性材料 、光电导材料 、  

蚀法研制成 N. . a i G 合金。实验结果显示: Mn 所研  制 的纳米 晶颗粒平 均小 于 10m,要在 93 0n 7K退 火 
5 h后才能完全转变为铁磁性 ,也才可以应用于磁  场驱动的铁磁形状记忆【 。 2 最近对一种新的反铁磁  引 耦合纵向磁记录介质 c uPc   P o   /to t  u多层  C 膜 的结构 和磁性进行 了研究 。 实验研究的主要结果 
为 :这一多层磁膜 的矫顽力和交换 场随 R 底层厚  u 度变化的规律 ,即来源 于 R 层厚度 的变化【】 u 2。为  4

储能和节能材料、 选频材料等¨ 。 圳 由于磁电子学的 
新的和重要 的研究和应用 , 最近对 Z OC 纳米复  n /o

合多层膜材料的制备和磁特陛有了新的研究。 多层  膜是用磁控溅射法制备的 ,Z O 用射频溅射 ,C   n o
则用直流磁控溅射 , 再用玻璃和 (0 ) i 10 S作衬底 ,   制成(n /o6多层膜 ,最上面镀 3m 厚 的 Z O Z OC ) o n n 

作保护层。 然后在真空中40C 0  ̄退火 2 , h 再分别测  量其物相、 室温磁性和低温磁陛。 主要的研究结果  为:这种纳米多层膜 ,随着 Z O 层厚度增加 ,会  n 出现更多的小磁性颗粒, 使室温下比饱和磁化强度 

了提高磁光记录介质的记录密度 ,最近研究了由  
SN介电层、T FC 记忆层 、T FC C 开关层 、 i be o beo r  

G FC C 位移层、SN介层多层膜淀积在多晶碳  de o r i 酸盐基片上所构成的多层膜 的磁光记 录特性 , 特别 

降低; 矫顽力在 0 n . m左右出现极值。 5 这是一种铁  研究 了膜的下层对 T FC be o记忆层微结构 的影响 ,   2    磁/ 半导体材料复合材料,其半导体特性需要进一  以及对读写特性 的影响【 。
步研究【 。 I 最近对钙钛矿型的 PC SMn 3 引 rar O 的磁电  阻特性进行 了较广泛 的研究 ,从多晶体的电子学 、  

6磁 共振 
电子磁共振 广义 电子磁共 振包含铁磁共振 、   亚铁磁共振 、 反铁磁共振  顺磁共振 、 回旋共振 ( 也  称抗磁共振 ) 。 等 这是磁学研究 和应用都很受重视  的领域 。最近利用铁磁共振研究 了 FA 非均匀系  eg 统的一些特殊磁性。这种磁l材料是利用脉冲激光  生

磁性和热学性质的实验观测研究, 取得了若干重要 
的 研 究结 果 ,主要 有 在 金 属 一 绝缘 体 转 变温 度  (8K)和低磁场中磁电阻有巨大的提高。这为  ~0 低磁场庞磁 电阻材料研究开辟 了新途径 r 。 2  u J

5磁记录学 
新 的磁功能材料如磁记忆材料是磁记 录材料 

淀积方法将纳米大小的F 颗粒淀积到 A 基体上制  e g
成 的,再在 430 的温度范围内、9 6 H ~0K . G z微波  4

和磁记录技术的一个新的发展方向, 是值得磁记录   频率测量研究了这一材料的铁磁共振和磁化率特  学研究重视的。 最近对一种铁磁形状记忆合金中的  性 。 主要结果是:当增加 F 含量 , 高沉积或沉积  e 增
声助磁场感生 的应变进行 了研究 。 研究用的磁性材 

后退火温度,或降低测量温度时,都会使系统从超 

料是 NMn a i G 单晶合金。 实验结果显示, 声助的磁  顺磁l变为铁磁陛,铁磁共振线宽和磁各向异性场  生 场感生应变可 以使得 只用磁 场感生的应变增大 1 也会增大 】最近研制了 C N/e 双层磁膜并研    。 o i Mn F

个量级。 这一效应在磁场驱动接近孪晶边界阈值场  究了其铁磁共振的特点 。首先利用多靶磁控溅射方 
时最为显著。 当输入声波的频率提高时更使应变增  法 在 S( 0衬 底 上 制 备 C -i 形 ,02n ) i0) 1 oN( 楔 ~5m  大,直到 4H 以后才有小的降低【 。垂直磁记录  /e (5m 双层磁膜,再作磁场冷处理 。主要的  kz 2 ” FMn1n ) 具有高记录密度的特点, 为了进一步提高垂直记录  实验研究结果为:铁磁共振谱均为洛仑兹线型。计 
的特性和优点 , 近通过微磁学模拟方法计算 了垂  最 直磁记录方式下 C 纳米图形介质 的磁性 和针型单  o 算 还发现磁不均 匀性 的贡献远小 于 内禀阻 尼的贡  献 。因此共振线宽 △ 随着 C N 层厚度 的减小而  日 oi 增加主要是 内禀阻尼效应的增大而导致的【 。铁磁  2 ”

极磁头场, 并针对颗粒磁晶各向异性场取向分布的  不 同. 0l 对 一数据记录的影响进行研究。研究结果 
为 :当磁晶各向异性取向参数  >5时,材料有较 

共振是探测复合材料系统局域磁性的有力工具。最  近从实验上利用平面中铁磁共振系统地研究 了反应 
溅射淀积 F—— (; CN e O R H  d和 D )薄膜的特别磁  R y 性 ,如沉积薄膜产生宽的铁磁共振谱 ,在退火后出  现明显的多个共振峰 。一些偏差 随着颗粒尺寸 的减 

高的矫顽力和接近 l 的方形度, 同时按后沿写入方  式也较好, 符合正确记录的最优化数据记录条件存  在 。但当取 向参数  <5时,则方形度较差 , 最优 
化数据记录条件不存在 。 对于记 录过程控制磁头电  流, 为方波形时仅后沿写人方式可行 :为三角波形  时则直接写入方式更优 : 而对更为普遍的梯形波形  磁头电流 ,则两种记录方式均有一定可用范 围【 。 2   

小而增大,表明强烈的表面效应。这些实验研究结  果与稀土元素无关,表明是氧化物的特陛[1 2。微波  8 磁学的研究和应用是当代磁学中一个重要的分支,   其基础理论和实验研究主要是磁共振和旋磁性等。   最近微波磁工程技术的一些重要应用, 如高功率微 
1  5

为了改进磁形状记忆合金的性能, 最近利用闪光浸 

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波铁氧体、 静磁波、 I YG宽带调谐技术、 微波铁氧 
体器件微型化 等的研究, 磁共振和旋磁性都显示重  要作用[】 2。 9 最近研究了水在外加交变磁场和地磁场 

体 ( F2 4 Nie )纳米晶材料的 M6sae效应。纳  O s ur b
米 晶样 品是用 溶胶 一 凝胶法 制备的 。 再用 x射线衍  射法测定了纳米晶样品的物相和晶体结构及平均 

作用下的集团回旋共振 。实验研究的主要结果显  示, 具有双回旋频率的毫高斯磁场波形会产生可高  度重复和陡峭的电阻减小。o"的核磁共振测量可  支持水 的 自 组织模型[ 。 3  州
原子核磁 共振  广义原子 核磁共振 包含核磁  共振和 M6sae效应 。 s ur b 这是磁学研究和应用都很  受重视的另一个领域。最近研究了 6e I F( ) H 反铁磁  分子环 F6: i L 原子核的核磁共振 。由于磁  e L 中  i

晶粒尺寸 。测定 了其在 室温 、8K 和 9 的  0 K M6sae谱 。 s ur 实验研究的重要结果是: b 样品中的  F 离子在 A、 e B两个晶位的占位随着晶粒尺寸的 
减小 , e 占据 A晶位的 比例增大 ,出现 了 A、   F3 + B

晶位 占位数 比大于 l: 的反常现象p 。 l 引 钙钛矿型  稀土锰氧体是一类在低温下为导体和铁磁相 ,但  在高温下为绝缘体和弱顺磁相 ,并在一定条件下  具有庞磁 电阻的优 良特性。为获得其优 良磁性 ,   最近研究了L—a —eO 系的M6sae谱和中 aB — F。3 Mn s ur b   子衍射。 主要的实验研究结果为: 在一定的化学成分  下,在 21 和 l 的强磁场中的最大磁电阻比为  8K T 95 【 .% 弱】 铁硫体是一类具有很大的负磁电阻的磁性 


分子环能提供研究基本磁性的模型系统而受到很  大 的 关 注 。 分 子 环  F6 : L  是    e i 【ie( C 3 2 b 6 ( 6 5 ? C 2 1 的简写。 LF 6 H ) ( m)B C H ) 5 H C2 O 1d ] 4   这种分子纳米磁体由 6 F (I= / 旋排列成  个 eIs52自 I) 近于共平面环 ,具有反铁磁性的最近邻耦合常数  Jk 一0 。在 1 —0 /p2K . 5K的温度范围和  5 =. 1 T的  5

材料。 最近利用 M6sae谱、 s ur x射线衍射、 b 磁性和  磁电阻方法研究了(eC )r   F,uC2 样品的结构、 S 磁性和 

u 外加磁场中观测研究了 L 核的核磁共振谱和核自 i   磁电阻等,主要的实验研究结果为:在含 C 量很小  ( 1 时, 6s ur 0) . M s a 谱会出现不对称的谱线增宽, be   旋一 晶格 弛豫率 与温度 的关系 ,在线宽分辨率  认为是 由于动态 Jh-ee弛豫的结果[1 an lr Tl 3。 4最近还利  (2k z 内未观测到  i  ̄5H ) L 核磁共振中的四极效应 。  
还比较了 F6: i e L 和其他反铁磁环 中的  和  U H的  核自 品格弛豫率[ 。最近研究了软磁陛能优良、 旋. 3 ¨   用生物学统计分析方法研究了胎儿脑部的核磁共振  成像。 这种新的研究方法所得到的研究结果显示 , 这  些所得到的结构的相对发展是同怀孕无关的【 。 3   

在电子器件和微波技术中得到广泛应用的 N 铁氧  i

附录:2 0 04年国内外各种磁学会议题录 ( 不完全统计 )  

参考文献:  
【】 Z agY  e  .J.  p h s2 0 , 5 1)7 3   1 h n   D, t1【】J a Ap l y。 0 4 9 (1: 10 P
1  6

【 韩秀峰, [ 】第 4届全国磁性薄膜与纳米磁学会  2 】 等. A .
议论文集【】 04 7 c, 0: . 2   ( 下转 4 页) 5  

JM a nM ae g trDeie  V l 6 No2 vcs o    3  

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参考文献 :  
[】 Naa o A 1 kn   ,Na a a  ,Muae t [】 J In   fte kh t I a rs  J. oL a o h   rl
Jp n S cey f a a   o it o  Po e  a d o e M eal g , wd r n  P wd r tl y  u
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墨  O5 . 

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餐 
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[】 N k rua T 【 .JMan Man Mae,19 ,183: 5 a a r  J   g  g   tr 9 7 6 () n 】  
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[】 Km    , n S Y  e   J.   g   g   t , 6 i C S A     L eS W 【 JMan Man Mae  】 r
1   2   3   4   5   6   7   8   9 1    0

0  

2 o . 521 : 3 21 . O o 21 - 621 -     6

f z f   MH

[】 P ra es r    Ra  H.【 .JP y  9 7 V 7 av t ewa R B, n K  h a J   h s 1 9 ,I   】
F a c  . .3 . r e7 CJ2 7  n

图4  Mg u a C Z 铁氧体片式电感器电感值与频率的关系删  

[】 U d   K n d .J.o r a o teJp  o i  f 8 me aH, a a aI [】Ju l f  a a S c t o   n   h n e y
P w e  dP w e  tl g, O o 4 ()7  7 8 o d r  o d r n a Mea u y 2 o , 77: 7 7 . l  

5 结论 

[】 B oaeD  J.   g  g   t ,19 ,13 1: 9 h s   N.【 JMa n Ma n Mae 9 7 7 () l 】 r  
515 . .8 

1 0 李国栋. 铁氧体物理学  】 北京: . 科学出版  综合上述文献研究得出: 烧结工艺以及 C O含  【 ]李荫远, u

量对低温烧结 Mg u n C Z 铁氧体的各项电磁特l有较  生 大的影响 。90 1 ℃下烧结 ,掺 1m 1 C O 的  2o % u

社 .98 17 .  

作者简介:陈成 (92 ,男, 03 1 一) 8 20 年毕业于华中 科技 
大学电子科学与技术系,2 0 年至今在华 中 03 科技 大学电子  科学与技术 系攻读硕士学位,研究方向为低温烧结软磁铁 
氧体材料 。  

Mg un C Z 铁氧体具有非常高的p、 a值以 及频率稳  定性,是制备高性能多层片式电 感器的理想材料。  

( 上接 1 ) 6页   [  Pri <e a. 】JA p P y, 0 4 9 (1: 1 1 3 】 avnl t [ . p l h s2 0 , 5 1)7 2 . , 1 J  

[8 au o    e a.[ 】 P oedn so  y o im    1 】Ik b vI t1 A . r e ig  fS mp s   c u F Eet m g e cMa r sC , ig p r, 0 3 5 . lcr a n t   t i [ ]Sn a o 2 0 : 9 o i ea l e  

[ 20 年海峡两岸磁性物理、 4 03 】 材料和应用研讨会论文摘  要集 ( 中国海南 )【】 03 1. c , 0 :9 2  
[】 U  D.[ 】 rce ig  fS m o im    l t - 5  G  A .Po edn so  y p s u F Ee r   co ma n t  tr l C , ig p r, 0 3 7 . g ec i Maei s 】Sn a oe 2 0 : 7  a【 [】 L bt e a-J.  p l h s2 0 , 5 1)7 2 . 6 u i   t 【 JA p  y, 0 4 9 (1: 14  z   l 】 P

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[ 韩志全. A . 6届国内外磁学与磁性材料发展及应  7 】 [ 】第 用技术交流会议论文集( 海南 博鳌) 】20 :8. [ ,0 3 18 c   
[】 L Z W c a.[ .Po edn s f S mp s m    8   i   t 1 A】 rce ig o  y o i F   u

[】 2 王琰, [ 】第 4届全国磁性薄膜与纳米磁学会议  2 等. A . 论文集 ( 天津, 承德 )[】 04 14 C, 0:4. 2  
[3 S lmo   C e a- 】J p h s2 0 , 5 1)6 5 . 2 】 oo n V  ,t 【 .  l y , 0 4 9 (1: 9 4   J Ap P l    

Eet man t  tr l[ ]Sn a r, 0 3 8 . lc o g ei Maei sC , ig p e 2 0 : 6 r c a o  

[ 郑建春, [ 】第 6 9 】 等 A. 届国内 外磁学与磁性材料发展及应  用技术交流会议论文集 ( 海南 博鳌) c,0323 【】 0 :0. 2   [ 】陈 浩, 【】20 年海峡两岸磁性物理、 1 O 等.A.0 3 材料和应  用研讨会论文摘要集 ( 中国海南)【 】 03 5. c , 0 :2 2  
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[ 】张爱国, [ 】第 4届全国磁性薄膜与纳米磁学会  2 4 等. A . 议论文集 ( 天津, 承德 )[】20 :4 . C ,04 19  
[5 Muaa M,t . m匝 T柚s g ,0 33 ()37 . 2 】 rkmi ea 阴. 1 r Man2 0,95: 18  

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[】 2 袁淑娟, [ 】 第 4届全国磁性薄膜与纳米磁学会  7 等. A . 议论文集 ( 天津, 承德)【】 04 18 C, 0 :6. 2  
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Eet man t   tr sC , ig p r, 0 3 2 . l r g ei Mae a [ ]Sn a e 2 0 : 1 co c i l o  

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【4 Z o l】 h uYY 【】J p P y, 0 4 9 (1: 8 0  J. Ap l h s2 0 , 51 )6 7 .

[ 】张臻蓉, [ 】 03 1 5 等. . 0 年海峡两岸磁性物理、 A 2 材料和应  用研讨会论文摘要集 ( 中国海南 )[】20 :5 c,0 34 .  
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【2 3】刘绵宏, 【 】第 4届全国磁性薄膜与纳米磁学会  等. A . 议论文集 ( 天津, 承德 )[】 04 3 3 C . 0 :0 . 2  
【3 a g R o g C o, ta. I.IE   r   g ,2 0 , 3 】K n   y n   h i e  【】 E E T a Ma 1 n n 03   3 ()2 0 . 95: 8 3   [4 Sm J   i e a.J. Ap l h s2 0 , 5 1)6 3 . 3 】 a i K m,t [】J p P y , 0 4 9 (1: 8 7 n 1  

[ 】 eg   e a [ 】 03 1 Pn  Y  .A . 0 年海峡两岸磁性物理 、 7 T t 1 2 材料和  应用研讨会论文摘要集 ( 中国海南)[】 03 2. C, 0 :4 2  

[5 Ca d Iea. 】珊 阻 Ta s im dE g2 0 , (】6 7 3 】 l e ,t 【 . u 1 J rn Bo e n , 0 454: 1.  

磁性材料 及器件   25 月 0 年4   0


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