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手机各项测试中失败的原因及对策。

时间:2014-12-07


ESD 的分析及对策 一. 二. 背景 问题描述 项目名称 D 测试条件:13 千伏 T1 PRT 试验中,大小 LENS 处 ESD 13 千伏失败 : 1.小 lens 处,静电通过金属装饰件以及内部金属零件进入手机内部.同时击穿了 1MM 宽度的空气; 2.大 lens 处,静电通过金属装饰件以及背胶(无基胶带)进入手机内部. 三. 原因分析 金属装饰件与 LCD 之间没有有效隔断,在大 lens 处因为采用的无基胶带,材料疏松,没有能够有效 阻断静电,小 LENS 处,因为在 B2B connector 之上,为保证连接的可靠性,增加了一片钣金件来压 住 CONNECTOR,从而外面的电流通过金属装饰件,击穿空气,传到钣金件上,进入到手机内部 四. 1. 2. 3. 4. 五. 解决措施 尽量将外部电流接地; 粘贴 LENS 的胶带换用阻断性好的胶带 增加 LCD 铜箔,将 LCD 整个包裹起来. 在大 LENS 处缓冲垫上增加一层铜箔,接地. 预防方法

做结构设计时候需要和硬件工程师共同分析,因为 ID 通常会作出很多金属装饰件,所以需要在评 估 ID 的时候硬件工程师都参与,外部金属装饰品需要和内部器件完全隔断,无法隔断必须接地, 同时要预先考虑到一旦出现失败的现象是否有合适的对策. 两字总结:疏.堵.

更多精彩,源自无维网(http://www.5dcad.cn) 啸叫的分析及对策 一. 背景

B 系列 EP1 跑线发现进入 CIT 模式测试 LOOPBACK 中,手机啸叫不断,这是我们公司第一次碰到 的一个全新的课题 二. 三. 问题描述 原因分析 B 系列 EP1 跑线发现进入 CIT 模式测试 LOOPBACK 中,手机啸叫不断,B3 尤其严重 1.产生啸叫的根本原因是 MIC 与 SPEAKER 产生了回路,形成了封闭的循环 2.导航键高出手机的大面,跌落时导航键先接触地面,而 CPU 有在导航键的正下方,故使导航 键局部受力,致使 CPU 顶虚声音的传播方式为 空气 腔体 介质,而空气的传播是三次方衰竭,而 在腔体的衰竭很小,分析我们的结构,MIC 与 SPEAKER 同在一个腔体的,而 SPEAKER 由 LAYOUT 先天 的不足,SPEAKER 无法完全密封,总有声音泄露在 HOUSING 中,MIC 的 MIC 套又没法与 HOUSING 的侧 壁完全密封,故在 HOUSING 的腔体内形成一个封闭的环,啸叫由次产生 3,联想到 NOKIA 的手机有许多的 MIC 套漏在外面,(这样做是不好看的,估计也是为了解决啸叫), 我们豁然开朗,决定将 MIC 套伸到 HOUSING 之外,问题得到解决 四. 解决措施

将 MIC 套伸到 HOUSING 之外

修改前

修改后

五.

预防方法

直板机要防止 MIC 和 SPEAKER 在壳体内形成腔体回路

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【概述】: 本教程详细分析了在手机各项测试中失败的原因及对策。

翻盖试验壳体裂的分析及对策 一. 背景 CARIBBEAN, BALTIC 等带 LCD 翻盖手机项目,许多出现 翻盖试验时壳体开裂的问题,用于对问题解决和改 进的时间,远远多于设计时间,最后问题仍不能彻底解决。 二. 问题描述 翻盖试验时壳体开裂,有时是贯穿的开裂。位置见附图 1

三. 1, 2, 3,

原因分析

按导致 flip test fail 的重要程度排序: stop rubber 起的作用不大,只是在 flip 打开的一瞬间,起减振作用。在完全打开的一瞬间, flip 抖动严重。 从图中可以看出, housing front hinge 肩部圆角过小,冲击时受力集中。 注塑工艺及材料也有较大的影响,有时裂纹很轻微,换一批 housing front ,可能裂纹就是贯 穿的。 四. 1, 解决措施

按采取措施的时间顺序 改用 三星 HF1023IM 材料,120 度烘干 4 小时,加大注塑压力,控制注塑温度,能明显改进, 不过这种方式很不稳定,有时是贯穿的开裂,欣旺达仍声称是按我们定的工艺干的。

2,

改用较大的 stop rubber,使 stop rubber 在 flip 未完全打开时就起作用,但这个改动因受 ID 歪型限制,并没有完全解决问题。

3,

再开裂处加胶,但此方法效果不明显。

更多精彩,源自无维网(http://www.5dcad.cn) 4, 同时采用 3 种办法, 1,改用更大的 stop rubber,此 stop rubber(已对 ID 有影响)。2, 带摩擦。见图 改用 3.5kg hinge。 3,把 hinge 处, flip rear 和 housing front 轴向间隙减小到 0 对 0,转动是略

最后一次 flip test,4 台机器,一台翻到 50K,2 台翻到 60K,均 OK。另 1 台翻到 50K,有轻微为裂纹。 翻 盖的手感还可以。 五. 1, 2, 预防方法 housing hinge 处外轮廓尺寸及壁厚对 flip test 结果有很大影响。在受 ID 限制,housing 如果能在 id 设计时,充分考虑 flip test, 把 stop rubber 作为 id 外形的一部分,加大

hinge 处外轮廓尺寸及壁厚只能较小时,尽量加大肩部过渡圆角及斜度,对 flip test 结果也有好处。 stop rubber,并把 flip rear 转轴部位最中与 stop rubber 接触的一段,设计成渐开线轮廓,让 stop rubber 再翻转最终位置前 10-15 度,就开始起作用,逐渐磨擦,并且力越来越大。不使 flip 在翻转最 终位置剧烈抖动,会对 flip test 结果有明显效果。 3, 有效果。 SIM卡不识卡的分析和对策 使用三星 PC 1023IM,高耐疲劳材料,再加上正确的烘干及注塑工艺,对 pass flip test,也

一.

背景:

软件测试和用户实用均发现有不少项目有不识 SIM 卡的现象. 二. 问题描述:

在合盖时特别是用力合盖和跌落是,很容易有不识 SIM 卡现象. 三. 1. 2. 3. 原因分析 SIM卡短路。 SIM座高出与屏蔽盖 0.05MM.。 SIM 卡座选的圆点的,高度 0.65MM.

四. 1,

解决措施:

SIM卡短路:通常是由于SIM卡下面有屏蔽盖,没有绝缘导致短路。解决方案:屏蔽盖 绝缘,加绝缘胶片。 2, 五. 1, 2, 电池加骨压紧 SIM 卡. 预防措施:

建议选用SIM卡座自带压紧结构的。 SIM卡座太底,应选用合适的高度,要比屏蔽盖高。 高的。

3,

SIM卡座的弹片太低或者弹力太小,须选用弹力较大高度较高的SIM卡座,推荐用0.73 4, 屏蔽盖变形顶高SIM卡。控制屏蔽盖的最终高度,设计预留多 0.2mm。 SIM卡扣压的不紧,SIM卡扣太软或者力臂太长导致。所以注意SIM卡扣的设计和材 质。 SIM卡的厚度不一,有 0.7 0.75 0.8 0.85 0.9 的SIM卡,设计SIM卡位的预留厚度 空间按 0.9 设计。 也可以在电池上加骨压SIM卡,不过要注意骨位高度,不要产生电池侧边间隙变大和掉点 的问题。一般不推荐这一方案。 8, SIM 一定要绝缘 霍尔开关受 Speaker 干扰的分析及对策 一. 背景

5, 6, 7,

GYM 项目中,在对 P0 板调试和检测时,发现无法开机 。经检查后发现,导致原因是霍尔开关受 Speaker 影响,而使手机处于“结束任务”状态。纵观之前的项目,Dolphin 也出现过此种现象。现对这个问题进 行分析和总结,为今后的设计提供借鉴。 二. 问题描述 机。 三. 原因分析及解决措施 原因分析: 导致这一现象的根本原因是:PCB Board 正面上的霍尔开关恰巧与装在板背面的 Speaker 位置相对。由于 Speaker 元件内部有一枚磁铁,当在安装上 Speaker 后,霍尔开关即感应到这枚磁铁,发出“结束任务” 的指令。故按 Power 键后,手机无法初始化,常处于关机状态。

检测霍尔开关的有效性时,在不安装 Speaker 的情况下,开关有效。而安装好 Speaker 后,手机则无法开

(如下图所示)

解决办法: 在发现这一问题后,对之前的项目进行询查,得之其它项目也出现过这种情况,而最终通过以下两 个措施协同解决: 方法一, 将 Speaker 内的磁铁改为单极性的。 免对霍尔开关的影响。 方法二, 在霍尔开关与 Speaker 之间增加一个磁屏蔽件。 磁屏蔽效果好的材料:马口铁。

主要原理是:使 Speaker 内的磁铁只在正面有磁性,而背面即与霍尔开关相对的方向没有磁性,以此避

主要原理是:通过增加一个屏蔽件来阻隔和削弱 Speaker 内的磁铁的对霍尔开关方向的磁力。并且需选用

如下图所示:

GYM 最初也试图采用 Dolphin 的方法。测试时,以手工制作磁屏蔽件,即使对 Speaker 不做特殊极性的 要求和处理,霍尔开关也能正常工作。但用五金厂做的样品来测试却失效了。 于是 GYM 又尝试了以下方法: 方法三, 更改霍尔开关的位置。 GYM 最初希望通过更改霍尔开关的位置来解决这一问题。现霍尔开关位于板正面的左上角,而右上角是天 线,如果开关位置移至此,将对天线的性能产生极大负面影响。板的中部是 LCD_T/P_Module,亦无可摆放 位置。再检查板的下端,虽然勉强有空间可以安放,但由于 GYM 翻盖较短且下端形状是弧型尖嘴,将没有 空间安装感应磁铁。而且磁体位置远离转轴,也将导致霍尔开关作用迟钝。 方法四,更换霍尔开关。 GYM 最后的解决办法是:将霍尔开关由双面极性改为单极性,使开关只对其前部(与感应磁铁相对的位置) 的磁力线起作用产生功能,而不感应后部来的磁力。同时需要感应磁铁的配合,使磁铁的极向与霍尔开关 的极向一致,所以在磁铁上需要做 S、N 极性标识。但此种霍尔开关的使用较少,其灵敏性能还有待检测和 观察。

四. 1、 2、

预防方法

在 PID 设计时,不要将有磁性的元件如 Speaker、Receiver 与霍尔开关靠太近,从根本上杜绝 这一问题的产生。 如果 PID 受外观或空间等的限制,霍尔开关附近有类似元件,则需用单极性的霍尔开关,且需 注意感应磁铁的安装方向,必须使极性保持一致。 更多精彩,源自无维网(www.5dcad.cn)!


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